发明名称 | 半导体芯片的封装方法及其封装体 | ||
摘要 | 一种半导体芯片的封装方法及其封装体,本方法包括步骤:把焊垫保护体形成板置于芯片上;每一焊垫上形成一抗酸碱的焊垫保护体;移去形成板;在芯片表面和保护体上形成感光薄膜层;把光掩模置于感光层上,利用光刻法将焊垫保护体部分的感光层去除;形成横截面为倒T形的穿孔;各穿孔内形成导电体。本封装体包括:一芯片;一形成在芯片表面上的感光薄膜层,在焊垫位置形成一穿孔;各穿孔内设有导电体。本发明可提高产品的合格率。 | ||
申请公布号 | CN1344018A | 申请公布日期 | 2002.04.10 |
申请号 | CN00124575.9 | 申请日期 | 2000.09.20 |
申请人 | 陈怡铭 | 发明人 | 陈怡铭 |
分类号 | H01L21/60;H01L21/56 | 主分类号 | H01L21/60 |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 徐娴 |
主权项 | 1、一种半导体芯片的封装方法,半导体芯片具有一个形成有数个焊垫的表面;其特征在于,包括如下步骤:把一个焊垫保护体形成板置于半导体芯片上,形成板对应于半导体芯片的焊垫形成有数个用以暴露对应焊垫的穿孔;利用印刷方法,在每一个焊垫上形成一个抗酸碱的焊垫保护体;移去形成板;在半导体芯片的表面和焊垫保护体上形成一感光薄膜层;把一个光掩模置于感光薄膜层上,以使感光薄膜层的对应于焊垫保护体的部分在后续的光刻过程不被暴露,感光薄膜层的余下部分在经过后续的光刻过程后会固化;经过光刻过程后,感光薄膜层的对应于焊垫保护体部分经过化学处理去除,以暴露对应的焊垫保护体;把焊垫保护体冲洗掉,使感光薄膜层在对应于每一焊垫的位置形成一个横截面为倒T形的穿孔;在每一个穿孔内形成一个导电体。 | ||
地址 | 中国台湾 |