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<p>폴디드(folded) 비트선 방식을 이용하는 반도체 메모리 장치에 있어서, 복수의 비트선들이 평행한 방향으로 배치되고 복수의 워드선들이 수직 방향으로 배치된다. 복수의 소자 영역 패턴들은 비트선들 및 워드선들을 교차하도록 배열된다. 인접 소자 영역 패턴들 간의 분리 간격이 제 1 간격이고, 인접 소자 영역 패턴들의 최근접부들 간의 분리 간격이 제 2 간격이다. 각각의 소자 영역 패턴들은 제 1 간격이 제 2 간격을 초과하도록 미리 결정된 각도로 비트선에 대해 경사진다.</p> |
