氮化铝、碳化硅及氮化铝∶碳化硅合金块状单晶的制备方法

摘要

采用在许多成核点沉积Al、Si、N、C的适当蒸汽物质制备了低缺陷浓度、低杂质的氮化铝、碳化硅及氮化铝:碳化硅合金块状单晶,这些成核点是择优冷却至低于晶体生长室内周围表面温度的。通过升华固态材料、汽化液态Al、Si或Al－Si、或注入源气体来提供蒸汽物质。这些许多成核点可能未引种或者采用籽晶如4H或6HSiC进行经引种的。

主权项

1.一种制备AlNx∶SiCy块状单晶的方法，其中x+y＝1，x为1→0，及y为0→1，包括步骤：在晶体生长室中提供生长块状单晶所需的Al、Si、N和C选择元素的蒸汽物质；在晶体生长室中提供许多成核点；择优冷却成核点至低于晶体生长室内周围各表面的温度；在决定始于各个成核点的AlNx∶SiCy单晶生长的条件下，沉积蒸汽物质。