| 发明名称 | 半导体基片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体衬底的方法，包括以下步骤：使用热扩散法将能控制导电类型的元素扩散进硅衬底，形成扩散区；在扩散区中形成多孔层；在多孔层上形成无孔单晶层；粘接无孔单晶层与底部衬底，同时提供其一个表面与无孔单晶层粘接而另一表面与底部衬底粘接的绝缘层；暴露多孔层；以及除去多孔层。$#! | ||
| 申请公布号 | CN1082720C | 申请公布日期 | 2002.04.10 |
| 申请号 | CN96112122.X | 申请日期 | 1996.08.01 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 坂口清文;米原隆夫 |
| 分类号 | H01L21/02 | 主分类号 | H01L21/02 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体衬底的方法，包括以下步骤：使用热扩散法将能控制导电类型的元素扩散进硅衬底，形成扩散区；在所说扩散区中形成多孔层；在所说多孔层上形成无孔单晶层；在所述无孔单晶层的待粘接表面上或者在底部衬底的待粘接表面上提供了绝缘层的同时，粘接所说无孔单晶层与所述底部衬底； 暴露所述多孔层；以及除去所说多孔层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||