发明名称 CIRCUIT FOR HOLDING THRESHOLD VOLTAGE OF REFERENCE MEMORY CELL AND METHOD FOR HOLDING THRESHOLD VOLTAGE THEREBY
摘要 <p>레퍼런스 메모리셀의 문턱전압을 시간소요 없이 정확하게 맞추기 위한 레퍼런스 메모리셀의 문턱전압 설정회로 및 그를 이용한 문턱전압 설정방법을 제공하기 위한 것이다. 이와 같은 목적을 달성하기 위한 레퍼런스 메모리셀의 문턱전압 설정회로는 소오스, 드레인, 컨트롤게이트, 플로팅게이트로 구성된 레퍼런스 메모리셀, 상기 레퍼런스 메모리셀을 프로그램할 때 전류검출부의 제어에 의해서 상기 레퍼런스 메모리셀의 드레인에 전압을 공급하는 제 1 전원, 상기 레퍼런스 메모리셀을 프로그램하거나 리드할 때 상기 레퍼런스 메모리셀의 컨트롤게이트에 전압을 공급하는 제 2 전원, 상기 레퍼런스 메모리셀의 소오스에 연결된 제 3 전원, 상기 레퍼런스 메모리셀의 드레인에 연결되어 측정신호에 따라 실제 사용하는 동작조건에서 상기 레퍼런스 메모리셀로 흐르는 전류를 외부패드를 통해 외부에서 직접 측정하기 위한 경로를 제어하는 스위치와, 상기 제 1 전원과 상기 레퍼런스 메모리셀의 드레인 사이에 연결되어 프로그램신호를 받아 상기 레퍼런스 메모리셀을 프로그램할 때 상기 레퍼런스 메모리셀로 흐르는 전류를 모니터링하면서 상기 모니터링한 전류가 기준스톱전류와 동일할 때 상기 제 1, 제 2 전원에 스톱신호를 출력하여 상기 레퍼런스 메모리셀의 프로그램동작을 강제로 종료시키는 전류검출부로 구성됨을 특징으로 한다.</p>
申请公布号 KR100331847(B1) 申请公布日期 2002.04.09
申请号 KR19990025469 申请日期 1999.06.29
申请人 null, null 发明人 라경만
分类号 G11C16/02;G11C16/34;G11C29/50 主分类号 G11C16/02
代理机构 代理人
主权项
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