| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 기술에 관한 것으로, 특히 화합물 반도체 초미세 구조 제작에 관한 것이며, 더 자세히는 자발형성 양자점(self-assembled quantum dots)과 전류차단층(current blocking structure)의 자기정렬 성장방법에 관한 것이다. 본 발명은 S-K 성장 방식을 사용하여 화합물 반도체 양자점 구조를 형성함에 있어서, 양자점 크기의 균일성을 확보하고, 기판 평면에서의 위치 제어가 용이한 반도체 소자 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명은 TSL(tilted superlattice) 구조를 이용하여 InAs 양자점이 성장될 부분을 양자점의 크기로 제한 하므로써 양자점의 크기 분포를 균일하게 유도하며, 장벽층 성장시 InAs 양자점 배열구조 사이에 성장되는 비정질 GaAs층을 전류차단 구조로 이용할 수 있는 자기정렬 성장법을 제안하였다. 본 발명은 양자점의 정렬 효과 외에 양자점의 크기 분포 균일성을 높일 수 있으며, 양자점 구조의 소자 응용에 필수적으로 요구되는 전류 차단구조를 별도의 공정없이 동시에 구현할 수 있다는 기술적 장점을 가지고 있다.</p> |
