| 发明名称 |
- METHOD OF FORMING PLANAR ISOLATION AND SUBSTRATE CONTACTS IN SIMOX-SOI |
| 摘要 |
<p>본 발명은 기판 내에 매립 산화물층을 형성하는데 사용되는 산소 주입에 관한 것이다. 유전체 마스킹층의 형상에 기초하여 이온을 주입할 수 있는 깊이를 변화시킴으로써, 유전체 마스킹 물질을 사용하여 매립 산화물층을 형성한다.</p> |
| 申请公布号 |
KR100331528(B1) |
申请公布日期 |
2002.04.06 |
| 申请号 |
KR19990007862 |
申请日期 |
1999.03.10 |
| 申请人 |
null, null |
发明人 |
애드키슨제임스더블유;라스키제롬비;파스텔폴더블유;란킨제드에이취 |
| 分类号 |
H01L21/02;H01L21/265;H01L21/266;H01L21/76;H01L21/762;H01L27/12 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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