| 摘要 |
<p>스토리지노드 전극 형성시 코발트 실리사이드를 사용한 반도체장치의 고용량 커패시터 제조방법에 대해 개시한다. 본 발명은 반도체기판에 접속되도록 도프트 폴리실리콘을 증착하고 이를 패터닝하고, 패터닝된 도프트 폴리실리콘 상부에 코발트 박막을 적층하여 스토리지노드 전극을 형성하고, 고온 열처리 공정으로 도프트 폴리실리콘과 코발트가 반응된 코발트 실리사이드막을 형성함과 동시에 코발트 실리사이드 표면을 애그로머레이션시켜 스토리지노드 전극의 표면적을 증가시키고, 표면적이 증가된 스토리지노드 전극 상부에 전극간 유전체로서 TaO박막을 형성하고, Ta2O박막 상부면에 금속을 포함한 도전층으로 이루어진 플레이트노드 전극을 형성하는 제조 공정으로 이루어진다. 이에 따라, 본 발명은 스토리지노드 전극 물질로서 비저항이 낮은 코발트 실리사이드를 이용하여 전도 특성을 크게 향상시키고, 동시에 고온의 열처리(900℃ 이상) 공정을 통해서 코발트 실리사이드 표면을 애그로머레이션화하여 그 표면적을 증가시킴으로써 고커패시턴스를 확보할 수 있다.</p> |
