SENSOR WITH AT LEAST ONE MICROMECHANICAL STRUCTURE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF

摘要

Es ist vorgesehen, dass beim erfindungsgemässen Sensor die Abdeckung (13) aus einer für ein Ätzmedium und die Reaktionsprodukte transparenten ersten Schicht (32) (Abscheideschicht) und einer darüber liegenden hermetisch dichtenden zweiten Schicht (34) (Abdichtungsschicht) besteht und dass beim erfindungsgemässen Verfahren zumindest der im Grundwafer (11) nach Etablierung der Struktur (26) vorhandene Sensorraum (28) mit einem Oxid (30), insbesondere CVD-Oxid oder porösen Oxid, gefüllt wird, der Sensorraum (28) mit einer für ein Ätzmedium und die Reaktionsprodukte transparenten oder nachträglich transparent gemachten ersten Schicht (32) (Abscheideschicht), insbesondere aus Polysilizium, bedeckt wird, das Oxid (30) in dem Sensorraum (28) durch die Abscheideschicht (32) hindurch mit dem Ätzmedium entfernt wird und anschliessend eine zweite Schicht (34) (Abdichtungsschicht), insbesondere aus Metall oder einem Isolator, auf die Abscheideschicht (32) aufgebracht wird, die den Sensorraum (28) hermetisch abdichtet.