| 摘要 |
<p>Die Erfindung bezieht sich auf die Passivierung der Resonatorendflächen, insbesondere der Spaltkanten von Halbleiterlaserdioden durch Hochtemperaturepitaxie des quaternären Verbindungshalbleiters InxGa1-xAsyP1-y, wobei alle stöchiometrisch möglichen VerbinDungen eingeschlossen sind, nämlich (0 ≤ x ≤ 1 und 0 ≤ y ≤ 1). Für die Passivierung des InxGa1-xAsyP1-y kann anschliessend eine zusätzliche Passivierungsschicht in-situ, d.h. in der Epitaxieanlage oder in einer direkt angeschlossenen Anlage, aufgetragen werden. Der Halbleiterkristall wird in einer erfindungsgemässen Vorrichtung durch Heizen auf die für die Epitaxie erforderliche Temperatur gebracht. Um die thermische Zerstörung des Kontaktmetalls bei der Epitaxie zu vermeiden, wird die bisher angewandte Prozessreihenfolge so abgewandelt, dass das Metall erst nach dem Spaltvorgang und der Passivierung abgeschieden wird. Die Abscheidung des Metalls auf den passivierten Laserbarren wird durch eine spezielle Apparatur vorgenommen, die eine Metalldeposition auf der gesamten Oberfläche des Lasers ermöglicht und zugleich das Bedampfen der Spaltkanten verhindert. Die Anwendung der Erfindung bezieht sich auf die Herstellung von Hochleistungs-Laserdioden. Der Effekt der erfindungsgemässen Passivierung äussert sich in einer signifikanten Erhöhung der Lebensdauer der Laserdiode bei hoher optischer Ausgangsleistung des Laserlichts, das aus den passivierten Spiegelfacetten austritt. Eine spezielle Anwendung umfasst die Herstellung von hochbelastbaren zuverlässigen Pumplasern für Erbium-dotierte Faserverstärker.</p> |
