| 摘要 |
<p>Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren von Schichten aus Metallen der Gruppe der Platinmetalle, insbesondere Iridium. In dem CMP-Verfahren werden unter Verwendung einer Polierflüssigkeit, die 1 bis 6 Gew.-% abrasiver Partikel, 2 bis 20 Gew.-% zumindest eines Oxidationsmittels ausgewählt aus der Gruppe umfassend Cer-(IV)-Salze, Salze der Chlorsäure, Salze der Peroxodischwefelsäure und Wasserstoffperoxid sowie dessen Salze und 97 bis 74 Gew.-% Wasser beinhaltet, hohe Abtragungsraten für Iridium und eine hohe Selektivität gegenüber Siliziumoxid erreicht. Dies ermöglicht die Strukturierung von Iridiumschichten mit Hilfe einer Oxidmaske und einem CMP-Prozess.</p> |
