| 摘要 |
본 발명은 전체 웨이퍼 상이나 패터닝된 영역 내에 고 반사 물질로 코팅된 반도체 웨이퍼를 급속 열 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 상기 웨이퍼는 다수의 램프에 의해 열 처리 챔버 내에서 가열된다. 저 전력 세기로 고 반사 물질로 코팅된 웨이퍼의 온도를 보다 급속하게 증가시키기 위하여, 웨이퍼와 다수의 램프 사이에 차폐 부재가 배치된다. 상기 차폐 부재는 광 에너지에 노출될 때 온도가 증가하는 세라믹과 같은 고 복사율의 물질로 이루어진다. 가열된 후에, 차폐 부재는 반도체 웨이퍼를 보다 높은 균일도로 차례로 가열된다. 하나의 실시예에서, 차폐 부재는 또한 가열될 때의 웨이퍼의 온도를 결정하는데 사용될 수 있다. |
