发明名称 |
Isolierschicht-Feldeffekttransistor mit einem diffundierten Kanal |
摘要 |
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申请公布号 |
DE69619487(D1) |
申请公布日期 |
2002.04.04 |
申请号 |
DE19966019487 |
申请日期 |
1996.12.17 |
申请人 |
STMICROELECTRONICS S.A., MONTROUGE |
发明人 |
JIMENEZ, JEAN |
分类号 |
H01L21/336;H01L29/08;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/336 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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