发明名称 |
发光器件及其制造方法和薄膜形成装置 |
摘要 |
本发明公开了一种制造向上发射型发光器件的方法以及一种用于本方法的薄膜形成装置。多个薄膜形成室连接到第一转移室。多个薄膜形成室包括金属材料蒸发室、EL层形成室、溅射室、CVD室以及密封室。通过使用薄膜形成装置,向上发射型EL元件在不把该元件暴露到外界空气的情况下能够制造。结果获得了可靠度高的发光器件。 |
申请公布号 |
CN1343011A |
申请公布日期 |
2002.04.03 |
申请号 |
CN01135571.9 |
申请日期 |
2001.09.08 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
小沼利光;山崎宽子 |
分类号 |
H01L27/15;H01L31/12;H05B33/00;G09F9/00 |
主分类号 |
H01L27/15 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
梁永 |
主权项 |
1.一种薄膜形成装置,其包括:第一薄膜形成室,其用于通过使用第一掩模得到第一图案并通过真空蒸发以形成第一导电膜;第二薄膜形成室,其用于通过使用第二掩模得到第二图案并通过真空蒸发以形成第二导电膜;第三薄膜形成室,其用于通过使用第三掩模得到第三图案并通过真空蒸发以形成有机膜;第四薄膜形成室,其用于形成光透射导电膜;其中,第一至第四薄膜形成室中的每一个都与转移室相连,其中转移室有用于转移衬底的转移装置。 |
地址 |
日本神奈川县 |