一种砷化铟、砷化镓的化学还原制备方法

摘要

本发明化学还原法制备InAs，GaAs的方法，将一定配比的镓或铟和砷的氯化物混合后，在苯、甲苯或其它非水有机溶剂中，按反应计量比加入1.1至3.5倍的还原剂，在密闭和120-350℃温度条件下反应，固液分离，依次用有机溶剂、稀盐酸、蒸馏水洗涤，真空干燥，即得产物InAs或GaAs。本发明原材料易得、价廉，避免了使用剧毒气体AsH₃，设备简单，操作简便、安全，产率高，易于工业化生产。$

主权项

1.一种InAs，GaAs的制备方法，其特征在于按化学反应计量比的GaCl3或InCl3，与AsCl3混合在一起，在非水有机溶剂苯、甲苯或二甲苯中，加入按反应计量比1.1至3.5倍的还原剂锌粉、镁粉、NaH2PO2·H2O或金属钠，在密闭的反应器中，在120～350℃温度条件下反应，然后固液分离，产物依次用有机溶剂、1-2mol/l稀盐酸、蒸馏水洗至中性，40～80℃真空干燥。