| 发明名称 | 清洁处理基片的方法 | ||
| 摘要 | 一种清洁处理基片表面的方法，其中，清洁处理基片工艺的包括利用酸溶液、氧化溶液、或碱溶液清洁处理基片表面的步骤的第1步骤，包括清除在基片表面上形成的自然氧化膜的步骤。$ | ||
| 申请公布号 | CN1082246C | 申请公布日期 | 2002.04.03 |
| 申请号 | CN96107213.X | 申请日期 | 1996.03.27 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 嵯峨幸一郎;小谷田作夫;服部毅 |
| 分类号 | H01L21/306 | 主分类号 | H01L21/306 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 邹光新;王岳 |
| 主权项 | 1.一种清洁处理基片表面的方法，其中，清洁处理基片工艺的包括用酸溶液、氧化溶液或碱溶液清洁处理基片表面的步骤的第1步骤，包括清除在基片表面上形成的自然氧化膜的步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||