| 发明名称 | 微电子结构的制法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及微电子结构的制造方法,其中部分覆盖衬底(5)并具有至少一个达到层结构(30)侧壁(35)的第一导电层(15,20)的层结构(30)被第二导电层(45)覆盖。随后第二导电层(45)最大程度地由具有物理剥蚀的蚀刻法反蚀刻,其中被剥蚀的材料沉积在层结构(30)的侧壁(35)上。被沉积的材料在侧壁(35)上形成保护层(60),通过此保护层第一导电层(15,20)应最大程度上防止氧侵蚀。 | ||
| 申请公布号 | CN1343370A | 申请公布日期 | 2002.04.03 |
| 申请号 | CN00804938.6 | 申请日期 | 2000.03.10 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | H·温德特;E·弗里特施;R·施滕格;W·赫恩莱恩;S·施瓦茨;G·贝特 |
| 分类号 | H01L21/3213;H01L21/02 | 主分类号 | H01L21/3213 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;张志醒 |
| 主权项 | 1.制造微电子结构的方法，具有以下步骤：—准备好在一衬底(5)上安排的层结构(30)，该结构部分覆盖衬底(5)并具有至少一层达到层结构(30)侧壁(35)的第一导电层(15，20)；—第二导电层(45)淀积到层结构(30)和衬底(5)上；并且—第二导电层(45)随后在应用物理剥蚀的蚀刻法中至少部分从衬底(5)剥蚀掉，使得被剥蚀的材料至少部分地淀积到层结构(30)的侧壁(35)上。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||