| 发明名称 | 低损耗微波介质陶瓷 | ||
| 摘要 | 本发明的低损耗微波介质陶瓷是微波通讯元器件的关键材料。其主成分是CaO或SrO、La<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>或Nd<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>、Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>,副成分是MgTiO<SUB>3</SUB>,主成分中各成分的含量(摩尔%)分别为:CaO或SrO45.0～55.0;La<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>或Nd<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> 20.0～30.0;Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> 20.0～30.0且主成分的总量为100,副成分的含量占主成分总重量的0～20%。这种低损耗微波介质陶瓷,其介电常数为16～25,Qf值高达60000GHz以上,同时具有近零谐振频率温度系数。 | ||
| 申请公布号 | CN1342622A | 申请公布日期 | 2002.04.03 |
| 申请号 | CN01135536.0 | 申请日期 | 2001.10.10 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 陈湘明;刘小强 |
| 分类号 | C04B35/057;H01P7/10;H01G4/12 | 主分类号 | C04B35/057 |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 韩介梅 |
| 主权项 | 1.低损耗微波介质陶瓷，其特征在于它的主成分是CaO或SrO、La2O3或Nd2O3、Al2O3，副成分是MgTiO3，主成分中各成分的含量(摩尔％)分别为：CaO或SrO 45.0～55.0La2O3或Nd2O3 20.0～30.0Al2O3 20.0～30.0且主成分的总量为100，副成分的含量占主成分总重量的0～20％。 | ||
| 地址 | 310027浙江省杭州市西湖区玉古路20号 | ||