| 发明名称 |
Herstellungsverfahren einer T-förmigen Gate-Elektrode in einem Halbleiterbauelement, und die T-förmige Gate-Elektrode |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69706910(T2) |
申请公布日期 |
2002.03.28 |
| 申请号 |
DE1997606910T |
申请日期 |
1997.04.04 |
| 申请人 |
MURATA MFG. CO., LTD. |
发明人 |
SASAKI, HIDEHIKO;YOKOI, YASUSHI;MONDEN, KOJI |
| 分类号 |
G03F7/26;H01L21/027;H01L21/285;H01L21/338;H01L21/768;H01L23/522;H01L29/41;H01L29/812;(IPC1-7):H01L21/027;H01L21/28;H01L21/335;H01L29/423 |
主分类号 |
G03F7/26 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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