| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer neuen Generation von GMR- und TMR-Sensoren. Es wird eine Dünnfilm-Fixierungsschicht beispielsweise aus einem 5d-Übergangsmetall (W, Re, Os, Ir, Pt) oder einem 4d-Übergangsmetall (Pd, Rh, Ru) mit hoher magnetokristalliner Anisotropie hergestellt, die die Magnetisierungsrichtung der fixierten Schicht (3d-ferromagnetische Übergangsmetalle) fixiert. Es kann ein Moment-filter konstruiert werden, mit dem sich die Effektivität von GMR und TMR Sensoren steigern lässt.</p> |
