| 发明名称 | 采用TEOS源PECVD生长氧化硅厚膜的方法 | ||
| 摘要 | 一种采用TEOS源PECVD生长氧化硅厚膜的方法,清洗硅片表面,将硅片放入反应室;采用He作携带气体,用固泡法将TEOS和H<SUB>2</SUB>O携带进入反应室;通过水浴加热装置,使TEOS恒温在30℃－50℃,H<SUB>2</SUB>O恒温在20℃－30℃;对氧化硅进行高温退火。采用TEOS源CVD技术生长SiO<SUB>2</SUB>,其膜厚度均匀(±1.5%,2英寸衬底);折射率可控制在1.453±0.001内,折射率稳定,且退火后不会改变;与高温退火技术相结合,可进行厚膜生长。整个生长工艺与硅工艺兼容。 | ||
| 申请公布号 | CN1341957A | 申请公布日期 | 2002.03.27 |
| 申请号 | CN00124309.8 | 申请日期 | 2000.09.04 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 雷红兵;王红杰;胡雄伟;邓晓清;王启明 |
| 分类号 | H01L21/316;H01L21/324 | 主分类号 | H01L21/316 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 戎志敏 |
| 主权项 | 1.一种采用TEOS源PECVD生长氧化硅厚膜的方法，包括步骤：(1)清洗硅片表面，将硅片放入反应室；(2)通过水浴加热装置，使TEOS恒温在30℃-50℃，H2O恒温在20℃-30℃；(3)采用He作携带气体，用固泡法将TEOS和H2O携带进入反应室，在等离子体的作用下，水解缩合成氧化硅薄膜；(4)对氧化硅进行高温退火。 | ||
| 地址 | 100083北京市912信箱 | ||