具有气流控制系统的晶片处理反应器及方法

摘要

一种晶片处理系统,用于将处理气体和惰性气体输送到室中,该室包括将所述气体输送到室并将它们从室排出的多个气体流路的CVD处理区。将流量控制系统与每个排气流路耦合,并且分别控制每个处理气排气流路,以在各气体流路中维持恒定流量,而不受沉积副产品聚积的影响。利用自清洗孔,允许测量处理排气管线中的压差以测量流量。该晶片处理系统具有装载区和卸载区,它们在室周围,并且各自都有另外的惰性气体排气流路,测量这些区域的每一个区域的气体的流动特性,优选横穿孔的压差并且有选择性地调整流量控制单元以维持各个区域基本恒定的排气流量,以弥补室两边的、由可能破坏APCVD系统性能的内部(热负荷)或外部(环境)的不均衡引起的任何压力不平衡。

主权项

1.一种化学气相沉积处理系统，用于输送至少一种反应气体和惰性气体以处理晶片或其它衬底，该系统包括：至少一个处理室，该室包括在其中形成的处理区，并且该室具有至少一个将所述至少一种反应气体输送到所述处理区的气体流路，和另一个将所述惰性气体输送到所述晶片处理区的气体流路，单个排气流路，用于将一个所述路径中全部所述反应气体和部分所述惰性气体一起除去，和另一个所述路径，用于仅将过剩的惰性气体从所述处理室除去，和排气流量控制系统，用于分别控制来自各个所述排气流路的气体流量来限制反应区，以使只有在所述处理室内部输送的所述反应性和惰性气体从所述处理区排出。