| 发明名称 | CMOS工艺中的同轴互连线的制作方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种半导体芯片上制造有集成的CMOS电路和RF电路的半导体器件及其制造方法。此方法包括制作下金属化层以及下金属化层上的下介电层。在下介电层上制作金属化线,以上介电层在金属化线上。然后在上介电层上制作上金属化层。在完成这一步骤之后,沿下介电层、金属化线、和上介电层的侧面,制作氧化物间隔。最后,在氧化物间隔上制作包封金属化层,使下金属化层、上金属化层、和包封金属化层确定RF线的外屏蔽层,而金属化线确定RF线的内导体。 | ||
| 申请公布号 | CN1342331A | 申请公布日期 | 2002.03.27 |
| 申请号 | CN00804383.3 | 申请日期 | 2000.09.12 |
| 申请人 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 发明人 | S·波斯拉;C·T·加布里尔;M·米舍洛夫;M·维林 |
| 分类号 | H01L23/522;H01L21/768;H01L23/66 | 主分类号 | H01L23/522 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 陈霁;梁永 |
| 主权项 | 1.一种具有制造在半导体晶片上的集成CMOS电路和RF电路的半导体器件的制作方法，它包含：制作下金属化层；在下金属化层上制作下介电层；在下介电层上制作金属化线；在金属化线上制作上介电层；在上介电层上制作上金属化层；沿下介电层、金属化线、和上介电层的侧面，制作氧化物间隔；以及在氧化物间隔上制作包封金属化层，使下金属化层、上金属化层、和包封金属化层确定RF线的外屏蔽层，而金属化线确定RF线的内导体。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||