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<p>본 발명은 강유전체 메모리 소자의 금속 배선 형성 공정에서 플라즈마에 의한 강유전체 캐패시터의 특성 열화를 방지할 수 있는, 강유전체 메모리 소자의 금속배선 형성 방법에 관한 것으로, 폴리머를 이용하여 금속배선 형성 공정 중의 강유전체 캐패시터 특성 열화를 방지하는 방법을 제공하는데 그 특징이 있다. 즉, 알루미늄 또는 텅스텐 등과 같은 금속막 식각시 폴리머를 다량 발생시켜 플라즈마에 의한 강유전체의 잔류분극, 임프린트 등의 특성 열화를 방지하는 방법이다. 금속배선 형성 공정을 위한 식각 과정에서 다량의 폴리머를 발생시키기 위하여 다음과 같은 방법을 이용한다. 첫째, 식각 조건중 기판에 인가되는 전력 즉 바이어스 전력을 증가시킨다. 둘째, 과도식각 타겟을 증가시킨다. 셋째, 공정 진행 온도를 낮춘다. 이에 따라, 금속 배선 공정 중에 발생하는 강유전 캐패시터의 전기적 특성이 열화를 방지하여 FeRAM의 경제성을 증가시키고, 전위 이동을 최소로 감소시킴으로써 FeRAM 소자의 수명을 10년 이상으로 증가시킬 수 있다.</p> |
