| 主权项 |
2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述离子轰击的步骤包含减少该交指型换能器与该压电基板之厚度的步骤。3.如申请专利范围第1项之方法,其中复数个交指型换能器与复数个反射器在该离子轰击的步骤当中形成。4.如申请专利范围第3项之方法,其更包含在该复数个交指型换能器与该复数个反射器不在的部份上切割该压电基板,以形成复数个表面声波元件之步骤。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述离子轰击该交指型换能器与该压电基板之步骤包含将氩气、氟化碳气、氯气及氮气中至少一气体作用于该交指型换能器与该压电基板。6.一种制造表面声波装置的方法,该方法包含下列步骤:提供一压电体;配置一金属膜层于该压电体之上,该金属膜层具有比该压电体高的密度;形成复数个交指型换能器于该压电体之上;切割该压电体而成复数个表面声波元件,每个该表面声波元件皆有至少一交指型换能器;同时地蚀刻该至少一交指型换能器与该压电体;以及封装该至少一表面声波元件。7.如申请专利范围第6项之方法,其中上述蚀刻之步骤包含调整该交指型换能器与该压电体之厚度。8.如申请专利范围第6项之方法,其中上述蚀刻之步骤包含离子轰击至少一该交指型换能器与该压电体。9.如申请专利范围第6项之方法,其更包含在该封装步骤之后,离子轰击至少一该交指型换能器与该压电体之步骤。10.如申请专利范围第6项之方法,其更包含调整该金属膜层之厚度的步骤。11.如申请专利范围第10项之方法,其中上述调整厚度之步骤系利用湿蚀刻剂蚀刻该金属膜层而进行的。12.如申请专利范围第6项之方法,其中上述蚀刻之步骤包含藉由将氩气、氟化碳气、氯气及氮气中至少一气体作用于该交指型换能器与该压电基板,而离子轰击至少一该交指型换能器与该压电体。13.一种制造压电装置的方法,该方法包含下列步骤:提供一晶圆;形成复数个交指型换能器于该晶圆之上;形成复数个表面声波元件,每个该复数个表面声波元件皆有至少一交指型换能器;封装至少该复数个表面声波元件之一;以及调整该被封装之表面声波元件之一频率。14.如申请专利范围第13项之方法,其中上述调整频率之步骤包含离子轰击该表面声波元件。15.如申请专利范围第13项之方法,其更包含在该封装之步骤之前调整至少一该表面声波元件之一频率。16.如申请专利范围第13项之方法,其中上述调整频率之步骤包含藉由将氩气、氟化碳气、氯气及氮气中至少一气体作用于该表面声波元件,以进行离子轰击。17.如申请专利范围第13项之方法,其中上述调整频率之步骤包含蚀刻该交指型换能器与该晶圆。18.如申请专利范围第13项之方法,其更包含配置一金属膜层于该晶圆之上。19.如申请专利范围第18项之方法,其更包含湿蚀刻该金属膜层。20.如申请专利范围第13项之方法,其更包含在该复数个交指型换能器不在的部份处切割该晶圆,以形成复数个表面声波元件之步骤。图式简单说明:图1为方块图,其例示根据本发明之第一个较佳实施例的制造流程;图2A至图2E为立体图,其例示根据本发明之第一个较佳实施例所包含的制造方法之步骤;图3为部分放大的剖面图,其显示在本发明之第一个较佳实施例中交指型换能器被蚀刻的状态;图4为方块图,其例示根据本发明之第二个较佳实施例的制造方法;图5为方块图,其例示根据本发明之第三个较佳实施例的制造方法;图6A为部分放大的剖面图,其显示在习知的蚀刻法中交指型换能器被蚀刻的状态,并同时显示被选择性蚀刻的交指型换能器;图6B为部分放大的剖面图,其显示在习知的蚀刻法中交指型换能器被蚀刻的状态,并同时显示被选择性蚀刻的压电基板。 |
