| 主权项 |
1.一种半导体装置,其包含:一第一基底,该基底上面形成一反交错型薄膜电晶体,该电晶体为非结晶质半导体并布置成矩阵形;一第二基底,该基底上面形成一相当于该像素区之反电极;一第三基底,该基底由玻璃与石英制成,并具一由具有结晶质半导体之衆多薄膜电晶体形成之驱动装置电路,其中之玻璃或石英形成在该第一基底外之一区域中;以及一包夹在该第一基底与该第二基底间之液晶层,其特征为:至少由该非结晶质半导体制成之该反交错型薄膜电晶体之半导体层一端表面与形成在该半导体层上一第一导电层端表面之一大致形成一致;衆多该第三基底形成在该第一基底上;以及具结晶质半导体之该衆多薄膜电晶体包含由一第一闸极绝缘膜形成之一第一薄膜电晶体以及由一第二闸极绝缘膜形成之一第二薄膜电晶体。2.一种半导体装置,其包含:一第一基底,该基底上面形成一反交错型薄膜电晶体,该电晶体布置成矩阵形并具相当于衆多扫描线与衆多源极线交叉部份之非结晶质半导体,形成这些扫描线与源极线,经由一绝缘膜加以交叉;一第二基底,在该基底上面形成一相当于该像素区之反电极;一第三基底,该基底由玻璃与石英制成,并具一由具有结晶质半导体之衆多薄膜电晶体形成之驱动装置电路,其中之玻璃或石英形成在该第一基底之该像素区外;以及一包夹在该第一基底与该第二基底间之液晶层,其特征为,至少由该非结晶质半导体制成之该反交错型薄膜电晶体之半导体层一端表面与形成在该半导体层上一第一导电层端表面之一大致形成一致;形成衆多该第三基底;以及该衆多薄膜电晶体包含由一第一闸极绝缘膜形成之一第一薄膜电晶体以及由一第二闸极绝缘膜形成之一第二薄膜电晶体。3.一种半导体装置,其包含:一第一基底,该基底上面形成:一反交错型薄膜电晶体,该电晶体布置成矩阵形并具形成相当于衆多扫描线与衆多源极线交叉部份之非结晶质半导体,形成这些扫描线与源极线,经由一绝缘膜加以交叉;以及连接至该反交错型薄膜电晶体之像素电极;一第二基底,在该基底上面形成一相当于该像素区之反电极;一第三基底,该基底由玻璃与石英制成,并具一由具有结品质半导体之衆多薄膜电晶体形成之驱动装置电路,其中之玻璃或石英形成在该第一基底之该像素区外;以及一包夹在该第一基底与该第二基底间之液晶层,其特征为:至少由该非结晶质半导体制成之该反交错型薄膜电晶体之半导体层一端表面与形成在该半导体层上之第一导电层端表面之一大致形成一致;形成衆多该第三基底;以及该衆多薄膜电晶体包含由一第一闸极绝缘膜形成之一第一薄膜电晶体以及由一第二闸极绝缘膜形成之一第二薄膜电晶体。4.如申请专利范围第1至3项中任一项之半导体装置,其特征为该第一闸极绝缘膜厚度比该第二闸极绝缘膜厚度薄。5.如申请专利范围第2或3项之半导体装置,其特征为:由玻璃或石英制成之该第三基底是相应于各该扫描线与该源极线而形成;以及相应于该扫描线形成之该第三基底为玻璃,而相应于该源极线形成之该第三基底为石英。6.如申请专利范围第2或3项之半导体装置,其特征为:连接至该扫描线之一第一驱动装置电路是形成在该第三基底中至少一基底之上,以及连接至该源极线之一第二驱动装置电路是形成在该第三基底中至少另一基底上,该第二驱动装置电路是连接至一分讯电路。7.如申请专利范围第3项之半导体装置,其特征为:在由该扫描线与该源极线所围绕之一内部区域中,于该像素电极下形成衆多孤岛状区域,而孤岛形区域是由该反交错型薄膜电晶体间极电极之相同层加以形成,以及该孤岛型区域之布置图案将该像素电极表面制成不均匀。8.如申请专利范围第1至3项中任一项之半导体装置,其特征为:该半导体装置选自由一手提式电话;一视讯相机;一行动电脑;一手提书;一数位相机;一个人电脑;一DVD播放机;以及一电视机组成之族群中一装置。9.一种半导体装置之制造方法,包含:利用一第一光罩在一第一基底上形成一闸极接线之一第一步骤;依序形成一绝缘膜,一第一半导体膜,一单导电性型第二半导体膜,以及一第一导电膜之一第二步骤;利用一第二光罩将该第一半导体膜,该单导电性型第二半导体膜,以及该第一导电膜蚀刻成一预定形状之一第三步骤;在该第三步骤后形成一第二导电膜之第四步骤;利用一第三光罩,蚀刻该第二导电膜,从该第二导电膜形成一像素电极之一第五步骤;利用该第三光罩蚀刻该第一导电膜,该单导电性型第二半导体膜,以及该第一半导体膜一部份之一第六步骤;在相应于该像素区域之第二基底上形成一反电极之一第七步骤;联合该第一基底与该第二基底在他们之间包夹一液晶层之一第八步骤;在一第三基底上形成衆多驱动装置电路之一第九步骤,该驱动装置电路是从一具有一结晶质半导体之薄膜电晶体加以形成的;分割形成在该第三基底上之衆多驱动装置电路而形成一杆状基底之一第十步骤;以及联合衆多位置中该杆状基底与该第一基底之该像素区域周围,以电路连接该驱动装置电路与该像素区域之一第十一步骤,其特征为该第九步骤包含一形成一第一厚度闸极绝缘膜之步骤,以及一形成一第二厚度闸极绝缘膜之步骤。10.一种半导体装置之制造方法,包含:利用一第一光罩在一第一基底上形成一闸极接线与一凸起部份之一第一步骤;依次形成一绝缘膜,一第一半导体膜,一单导电性型第二半导体膜,以及一第一导电膜之一第二步骤;利用一第二光罩将该第一半导体膜,该单导电性型第二半导体膜,以及该第一导电膜蚀刻成一预定形状之一第三步骤;在该第三步骤后形成一第二导电膜之第四步骤;利用一第三光罩,蚀刻该第二导电膜,从该第二导电膜形成一像素电极之一第五步骤;利用该第三光罩蚀刻该第一导电膜,该单导电性型第二半导体膜,以及该第一半导体膜一部份之一第六步骤;在相应于该像素区域之第二基底上形成一反电极之一第七步骤;联合该第一基底与该第二基底在他们之间包夹一液晶层之一第八步骤;在一第三基底上形成衆多驱动装置电路之一第九步骤,该驱动装置电路是从一具有一结晶质半导体之薄膜电晶体加以形成的;分割形成在该第三基底上之衆多驱动装置电路而形成一杆状基底之一第十步骤;以及联合衆多位置中,该杆状基底与该第一基底之该像素区域周围,以电路连接该驱动装置电路与该像素区域之一第十一步骤,其特征为:该第九步骤包含一形成一第一厚度闸极绝缘膜之步骤,以及一形成一第二厚度闸极绝缘膜之步骤。11.如申请专利范围第9或10项中半导体装置之制造方法,其特征为:形成该第一厚度闸极绝缘膜步骤以及形成该第二厚度闸极绝缘膜步骤具有:从一含矽,与氧气或氮气之反应气体沈积一绝缘膜之一第一阶段;以及在氧化大气中,热处理该绝缘膜之一第二阶段。12.如申请专利范围第9或10项中之半导体装置制造方法,其特征为:形成该第一厚度闸极绝缘膜步骤以及形成该第二厚度闸极绝缘膜步骤具有:从一含矽,与氧气或氮气之反应气体沈积一绝缘膜之一第一阶段;以及在含卤素之大气中,热处理该绝缘膜之一第二阶段。13.如申请专利范围第9或10项中半导体装置之制造方法,其特征为:具有非结晶质半导体之该薄膜电晶体是形成一反交错型;以及具有结晶质半导体之该薄膜电晶体是形成一顶部闸极型。14.如申请专利范围第9或10项中之半导体装置制造方法,其特征为:该半导体装置选自由一手提式电话;一视讯相机;一行动电脑;一手提书;一数位相机;一个人电脑;一DVD播放机;以及一电视机组成之族群中一装置。图式简单说明:[第1图]表示现有发明一像素结构之图式。[第2图]说明制造一像素TFT,一储存电容,及一端点部程序之一横切面图。[第3图]说明制造一像素TFT,一储存电容,及一端点部程序之一横切面图。[第4图]说明制造像素TFT与储存电容程序之上视图。[第5图]说明制造像素TFT与储存电容程序之上视图。[第6图]说明一像素区与一杆状驱动装置之布置图。[第7图]说明一像素区与一杆状驱动装置之电路结构方块图。[第8图(A)、(B)]说明杆状驱动装置结构之横切面图。[第9图(A)、(B)]说明安装一杆状驱动装置方法之一实例图。[第10图(A)、(B)]说明安装杆状驱动装置方法之一实例图。[第11图(A)、(B)]一输入端部之上视图与横切面图。[第12图)说明一像素TFT,一储存电容,与一端点部结构之横切面图。[第13图]说明一多室型制造装置之组成图。[第14图]说明一单室连续膜沈积型制造装置之组成图。[第15图]一反射型液晶显示装置之横切面图。[第16图]一反射式液晶显示装置像素之上视图。[第17图(A)~(F)]说明制造形成一杆状驱动装置驱动电路TFT之程序图。[第18图(A)~(E)]说明制造形成杆状驱动装置驱动电路TFT之桯序图。[第19图(A)~(C)]说明制造形成一杆状驱动装置驱动电路TFT之程序图。[第20图(A)~(D)]说明制造形成一杆状驱动装置驱动电路TFT之程序图。[第21图(A)~(G)]说明制造形成一杆状驱动装置驱动电路TFT之程序图。[第22图(A)~(F)]说明制造形成一杆状驱动装置驱动电路TFT之程序图。[第23图(A)~(E)]说明制造形成杆状驱动装置驱动电路TFT之程序图。[第24图]说明一杆状驱动装置端点部组成之横切面图。[第25图(A)~(D)]形成在一杆状驱动装置输入.输出部中一肿块之制程图。[第26图]说明一显示装置电路结构之方块结构图。[第27图(A)、(B)]说明一分讯电路之组成图。[第28图]说明一连接至一源极线杆状驱动装置驱动电路之组成图。[第29图(A)~(C)]说明一锁存电路之特例图。[第30图]当中安装一杆状驱动装置之液晶显示装置组装图。[第31图]说明安装一显示装置至一光电装置罩体之实例图。[第32图]当中安装一杆状驱动装置之主动矩阵显示装置概要图。[第33图(A)~(E)]说明半导体装置之实例图。[第34图(A)~(C)]说明半导体装置之实例图。 |
