发明名称 记忆卡结合改良结构
摘要 一种记忆卡结合改良结构,其至少包括:一上盖、一边框及一下盖等所组成:其中,上盖于适当位置,设有复数个接合凸缘及钩合槽;边框于与接合凸缘相对应位置设有复数个接合槽孔;下盖与钩合槽相对应位置设有复数个拉钩;当组合时,上盖之接合凸缘插入边框之接合槽孔中,下盖以扣钩钩合于上盖之钩合槽处,使记忆卡整体外壳之结合紧密、组装方便迅速,且整体以金属作交叠式之结合,有效防止EMI之漏出而造成干扰,且可配合设计须求作适当延伸之结构者。
申请公布号 TW481311 申请公布日期 2002.03.21
申请号 TW089213833 申请日期 2000.08.09
申请人 亚特吉科技有限公司 发明人 张春龙;苏荣宗
分类号 G06K19/00 主分类号 G06K19/00
代理机构 代理人 吴修闸 台北巿松江路五十一号五楼之一
主权项 1.一种记忆卡结合改良结构,其至少包括:一上盖、一边框及一下盖等所组成:其中,上盖于适当位置,设有复数个接合凸缘及钩合槽;边框于与接合凸缘相对应位置设有复数个接合槽孔;下盖与钩合槽相对应位置设有复数个扣钩;当组合时,接合凸缘嵌入接合槽孔中,使上盖与边框相结合,扣钩钩合于钩合槽,令下盖与上盖结合,形成整体稳固之结合,且周边呈交叠设置有效防止EMI漏出造成干扰之结构者。2.如申请专利范围第1项所述之记忆卡结合改良结构,其中上盖为金属板一体冲压成型,接合凸缘为上盖边侧倒折部分延伸而成型,并于近端部适当位置加以穿透,且使其一部分向一侧凸出形成倒钩状者。3.如申请专利范围第1项所述之记忆卡结合改良结构,其中上盖之钩合槽,系于上盖边缘适当位置预先设置复数个缺口,复经弯摺冲压一体成型者。4.如申请专利范围第1项所述之记忆卡结合改良结构,其中边框系设于上盖之弯折部分内侧,其接合槽孔呈矩形,与上盖之接合凸缘相配合结合,使边框牢固附着于上盖者。5.如申请专利范围第1项所述之记忆卡结合改良结构,其中上盖与边框结合后,于底部形成一适当间隙,且上盖之钩合槽部分形成与上述间隙相连通之较深的间隙,并于间隙之内侧于边框部分底部设一斜边,使下盖组装时易于导引嵌入,将下盖之折边及凸起之扣钩容置于前述间隙中,上、下盖稳固交叠结合者。6.如申请专利范围第1项所述之记忆卡结合改良结构,其中边框之二侧适当位置各设置一导电片,该导电片设有二接触片,其一与上盖金属相接触,另一与置放于记忆卡内之电路板相接触,以构成电路使上盖成为遮蔽体而减少EMI漏出者。7.如申请专利范围第1项或第5项所述之记忆卡结合改良结构,其中之导电片设置之接触片为左、右侧各设一片,呈蝴蝶状自中间固定部延伸而成形者。图式简单说明:第1图为习知之机械式记忆卡结合结构剖示图。第2图为本创作一较佳具体实施例之立体组合图。第3图为本创作一较佳具体实施例之立体分解图。第4图为本创作一较佳具体实施例之平面正视图。第5图为本创作一较佳具体实施例之上盖与边框接合状况剖示图。第5A图为本创作一较佳具体实施例之上、下盖接合位置剖示图。第6图为本创作另一较佳具体实施例之立体分解图。
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