| 主权项 |
2.如申请专利范围第1项之电压位准移转器,其中,该第一电晶体、第三电晶体、第五电晶体及第七电晶体系p型电晶体。3.如申请专利范围第1项之电压位准移转器,其中,该第二电晶体、第四电晶体、第六电晶体及第八电晶体系n型电晶体。4.如申请专利范围第1项之电压位准移转器,其中,该第一节点系连接至一个第一电位,且该第二节点系连接至一个第二电位,且其中,该第一电位系比该第二电位高。5.如申请专利范围第1项之电压位准移转器,其中,该第三节点系连接至一个比该第一电位为高之第三电位。6.如申请专利范围第1项之电压位准移转器,其中,该电压位准移转器系于一个电脑系统之中。7.一种双位准电压移转器,其包含:一个第一p型电晶体及一个第二n型电晶体,其系串联连接于一个连接至一个第一电位之第一节点及一个连接至一个第二电位之第二节点之间,及串联连接于该第一电压连接点及该第二节点之间之第三p型电晶体及第四n型电晶体,第一电晶体及第三电晶体之闸极系连接至互补之输入连接点;第五p型电晶体及第六n型电晶体,其系串联连接于一个连接至一个第三电位之第三节点及该第二节点之间,及串联连接于该第三节点及该第二节点之间之第七p型电晶体及第八n型电晶体,第四电晶体及第六电晶体之闸极系连接至该第一电晶体及该第二电晶体之间之一个第一内部节点,且第二电晶体及第八电晶体之闸极系连接至该第三电晶体及该第四电晶体之间之一个第二内部节点。8.如申请专利范围第7项之双位准电压移转器,其中,该第二电位系一个比接地电位低之预先决定之电位。9.如申请专利范围第7项之双位准电压移转器,其中,该第三电位系一个比该第一电位高之预先决定之电位。10.如申请专利范围第7项之双位准电压移转器,其中,该第二电位系一个比接地电位低之预先决定之电位,且该第三电位系一个比该第一电位高之预先决定之电位。11.一种双位准电压移转器,其包含:一个第一分路,其包含串联连接于第一节点及第二节点之间之第一电晶体、第二电晶体、第三电晶体及第四电晶体,该第一电晶体及第四电晶体系设计成二极体,且第二电晶体及第三电晶体之闸极系彼此连接;一个第二分路,其包含:一个第二部分,其包含第五电晶体及第六电晶体,及一个第三部分,其包含第七电晶体及第八电晶体,该第二部分及第三部分系串联连接于一个第三节点及一个第四节点之间;一个通道闸,其系连接至一个定义于该第二电晶体及第三电晶体之间之节点,且于第七电晶体及第八电晶体之间;一个节点,其系定义于该第二电晶体及第三电晶体之间,且连接至第五电晶体及第六电晶体之闸极;且第七电晶体及第八电晶体之闸极系连接至一个定义于该第五电晶体及第六电晶体之间之节点。12.如申请专利范围第11项之双位准电压移转器,其中,该通道闸包含两个并联连接之电晶体,一个系n型电晶体,一个系p型电晶体,该通道闸电晶体之闸极系分别连接至互补之输入。13.如申请专利范围第11项之双位准电压移转器,其中,该第一电晶体、第二电晶体、第五电晶体及第七电晶体系p型电晶体。14.如申请专利范围第11项之双位准电压移转器,其中,该第三电晶体、第四电晶体、第六电晶体及第八电晶体系n型电晶体。15.一种双位准电压移转器,其包含:一个设计成一个二极体之第一电晶体、一个第一互补型金氧半导体反相器及一个设计成一个二极体之第二电晶体,该第一电晶体、该第一互补型金氧半导体反相器及该第二电晶体系串联连接于一个第一节点及一个第二节点之间;一个第二反相器及一个第三反相器,其系并联连接于一个第三节点及一个第四节点之间,该第二反相器及该第三反相器系相互连接,且该第一反相器之输出及该第二反相器之输入系可操作地连接在一起;及一个通过闸,其系于该第二反相器及该第三反相器之间的反馈回路之上。16.如申请专利范围第15项之双位准电压移转器,其中,该第三节点系连接至一个输出电位,且该第一节点系连接至一个电源电位,该输出电位系比该电源电位为高。17.如申请专利范围第15项之双位准电压移转器,其中,该第四节点系连接至一个第二输出电位,且该第二节点系连接至接地电位,且其中,该第二输出电位系比该接地电位为低。18.如申请专利范围第15项之双位准电压移转器,其中,该通道闸包含两个并联连接之电晶体,一个系n型电晶体,一个系p型电晶体,该通道闸电晶体之闸极系分别连接至互补之输入。19.如申请专利范围第15项之双位准电压移转器,其中,该第一反相器包含两个电晶体,该两个电晶体包含一个n型电晶体及一个p型电晶体,该每一个电晶体之闸极系可连接至一个输入电压。20.如申请专利范围第15项之双位准电压移转器,其中,该第二反相器包含两个电晶体,该两个电晶体包含一个n型电晶体及一个p型电晶体。21.如申请专利范围第15项之双位准电压移转器,其中,该第三反相器包含两个电晶体,该两个电晶体包含一个n型电晶体及一个p型电晶体。22.如申请专利范围第14项之双位准电压移转器,其中,该双位准电压移转器系于一个电脑系统之中。23.一种电脑系统,其包含:一个具有主机板之电脑,其具有一个可操作于连接至该主机板之处理器;且该处理器具有一个积体电路,其包含:一个第一输入连接点,其用以接收一个输入电压讯号;及一个双位准电压移转器电路,其系连接成接收该输入电压讯号,该双位准电压移转器电路包含:第一电晶体及第二电晶体,其系串联连接于一个第一节点及一个第二节点之间,及串联连接于该第一节点及该第二节点之间之第三电晶体及第四电晶体,第一电晶体及第三电晶体之闸极系连接至互补之输入连接点;第五电晶体及第六电晶体,其系串联连接于一个第三节点及一个第四节点之间,及串联连接于该第三节点及该第四节点之间之第七电晶体及第八电晶体,第四电晶体及第六电晶体之闸极系连接至该第一电晶体及该第二电晶体之间之一个第一内部节点,且第二电晶体及第八电晶体之闸极系连接至该第三电晶体及该第四电晶体之间之一个第二内部节点。24.如申请专利范围第23项之电脑系统,其中,该第一电晶体、第三电晶体、第五电晶体及第七电晶体系p型电晶体。25.如申请专利范围第23项之电脑系统,其中,该第二电晶体、第四电晶体、第六电晶体及第八电晶体系n型电晶体。26.一种电脑系统,其包含:一个具有主机板之电脑,其具有一个可操作于连接至该主机板之处理器;且该处理器具有一个积体电路,其包含:一个第一输入连接点,其用以接收一个输入电压讯号;及一个双位准电压移转器电路,其系连接成接收该输入电压讯号,该双位准电压移转器电路包含:一个设计成一个二极体之第一电晶体、一个第一互补型金氧半导体反相器及一个设计成一个二极体之第二电晶体,该第一电晶体、该第一互补型金氧半导体反相器及该第二电晶体系串联连接于一个第一节点及一个第二节点之间;一个第二反相器及一个第三反相器,其系并联连接于一个第三节点及一个第四节点之间,该第二反相器及该第三反相器系相互连接,且该第一反相器之输出及该第二反相器之输入系可操作地连接在一起;及一个通过闸,其系于该第二反相器及该第三反相器之间的反馈回路之上。27.如申请专利范围第26项之电脑系统,其中,该第三节点系连接至一个输出电位,且该第一节点系连接至一个电源电位,该输出电位系比该电源电位为高。28.如申请专利范围第26项之电脑系统,其中,该第四节点系连接至一个第二输出电位,且该第二节点系连接至接地电位,且其中,该第二输出电位系比该接地电位为低。29.如申请专利范围第26项之电脑系统,其中,该通道闸包含两个并联连接之电晶体,一个系n型电晶体,一个系p型电晶体,该通道闸电晶体之闸极系分别连接至互补之输入。30.如申请专利范围第26项之电脑系统,其中,该第一反相器包含两个电晶体,该两个电晶体包含一个n型电晶体及一个p型电晶体,该每一个电晶体之闸极系可连接至一个输入电压。31.如申请专利范围第26项之电脑系统,其中,该第二反相器包含两个电晶体,该两个电晶体包含一个n型电晶体及一个p型电晶体。32.如申请专利范围第26项之电脑系统,其中,该第三反相器包含两个电晶体,该两个电晶体包含一个n型电晶体及一个p型电晶体。图式简单说明:第1图系一个先前技艺之电压移转器的电路图;第2图系第二个先前技艺之电压移转器的电路图;第3图系本发明之一个实施例之电路图;第4图系一个说明第3图之实施例的操作之图;第5图系本发明之另一个实施例之电路图;第6图系一个说明第5图之实施例的操作之图;及第7图系根据本发明之一个实施例的积体电路实施例之方块图。 |
