| 主权项 |
1.一种形成场发射尖端之方法,该方法包含:提供一具有沟渠的基板;形成一第一传导层于该基板上并具有一隙缝于该沟渠上方;形成一第一介电层于该第一传导层上;除去部分的该第一介电层以留下该隙缝中剩余的介电层;等向性地蚀刻该第一传导层,并以剩余介电质作为一蚀刻遮罩,其中该介电质于蚀刻过程中为可蚀刻,以成一传导尖端;形成一研磨停止层于该传导层上;形成一第二介电层于该传导尖端与该研磨停止层上;研磨该第二介电层直到该研磨停止层表面以保护该传导尖端不受损坏;蚀刻部份的该第二介电层以形成一阶梯于该传导尖端;形成一第二传导层于蚀刻后的该第二介电层;除去部份的该第二传导层以露出一该阶梯之上层表面;以该第二传导层作为一蚀刻遮罩研磨该第二介电层;及除去该传导尖端上的研磨停止层。2.如申请专利范围第1项之形成场发射尖端之方法,更进一步地包含下列步骤于蚀刻该第二介电层之前:形成一第三介电层于该第二介电层与该阶梯之上层表面;蚀刻该第三介电层以使该传导尖端之上具有开口;形成第四介电层于该第三介电层之上;非等向性地蚀刻该第四介电层以于该开口上形成间隙壁;及其中以该第三介电层与第四介电层作为一蚀刻遮罩,蚀刻该第二介电层,当该研磨停止层被去除时,其中该第三介电层与第四介电层亦一并除去。3.如申请专利范围第1项之形成场发射尖端之方法,其中该第一传导层包含矽。4.如申请专利范围第1项之形成场发射尖端之方法,其中该第一介电层包含氧化物、氮化物或氮氧化物。5.如申请专利范围第1项之形成场发射尖端之方法,其中该研磨停上层包含氧化物。6.如申请专利范围第5项之形成场发射尖端之方法,其中以HF或BOE溶液除去该研磨停止层。7.如申请专利范围第1项之形成场发射尖端之方法,其中该第二介电层包含氮化物。8.如申请专利范围第7项之形成场发射尖端之方法,其中以热磷酸溶液除去该第二介电层。9.如申请专利范围第2项之形成场发射尖端之方法,其中该第三与第四介电层包含氧化物。10.如申请专利范围第9项之形成场发射尖端之方法,其中以HF或BOE溶液除去该第三与第四介电层。图式简单说明:图一为根据本发明描述之半导体晶圆在传导层上形成介电层之侧面图。图二为根据本发明描述之半导体晶圆施行化学机械研磨法研磨介电层步骤之侧面图。图三为根据本发明描述之半导体晶圆上形成研磨停止层步骤之侧面图。图四为根据本发明描述之半导体晶圆上形成一第二介电层步骤之侧面图。图五为根据本发明描述之半导体晶圆上蚀刻去除部份第二介电层步骤之侧面图。图六A为根据本发明描述之半导体晶圆形成一金属层步骤之侧面图。图七A为根据本发明描述之半导体晶圆蚀刻第二介电层步骤之侧面图。图八A为根据本发明描述之半导体晶圆上除去研磨截止层步骤之侧面图。图六为根据本发明描述之半导体晶圆上形成第三介电层步骤之侧面图。图七为根据本发明描述之半导体晶圆上蚀刻第三介电层步骤之侧面图。图八为根据本发明描述之半导体晶圆上形成第四介电层步骤之侧面图。图九为根据本发明描述之半导体晶圆形成间隙壁(spacer)步骤之侧面图。图十为根据本发明描述之半导体晶圆上以间隙壁(spacer)与第三介电层作为遮罩蚀刻第二介电层步骤之侧面图。图十一为根据本发明描述之半导体晶圆上除去研磨停止层步骤之侧面图。 |
