| 主权项 |
1.一种用于半导体记忆体元件之更新周期自动侦测装置,其包含:一个开机侦测器装置,其侦测由一个系统所施加之功率;一个控制装置,其产生一个用于内部资料之读出/写入时序控制讯号,及至少一个控制讯号,以控制该侦测装置之所有元件,以回应一个该开机侦测装置之输出讯号;一个内部资料产生器装置,其产生内部资料,以回应该控制讯号;一个比较器装置,其比较该内部资料及储存于晶胞中之内部资料;及一个更新电路装置,其在该两个资料不互相对应之情况下,藉由该控制装置之控制讯号,由该读出/写入时序控制讯号之间之时间关系,决定及储存一个更新周期。2.如申请专利范围第1项之用于半导体记忆体元件之更新周期自动侦测装置,其中,该控制装置包含:自我测试控制装置,其用以产生控制讯号,以回应该开机侦测装置之输出讯号;时钟产生装置,其用以产生时钟讯号,以回应该自动测试控制装置之控制讯号;计时器装置,其用以计数及输出该时钟讯号,以回应该自我测试控制装置之控制讯号;除频装置,其用以透过该计时器装置而将该时钟讯号除频;位址产生装置,其藉由调整一个该除频装置之输出讯号,而产生一个内部行/列位址,以回应该计时器装置之输出讯号;读出时序产生装置,其产生一个用于读出资料之讯号,以回应该除频装置及位址产生装置之每一个的输出讯号;及写入时序产生装置,其接收该除频器装置及位址产生装置之每一个的输出讯号。3.如申请专利范围第1项之用于半导体记忆体元件之更新周期自动侦测装置,其中,该内部资料产生装置产生比该系统之电源供应电压为低之高准位资料,及产生比该系统之电源供应电压为高之低准位资料。4.如申请专利范围第1项之用于半导体记忆体元件之更新周期自动侦测装置,其中,该内部资料产生装置产生与该系统之电源供应电压相同之高准位资料,及与该系统之接地电压相同之低准位资料。5.如申请专利范围第3项之用于半导体记忆体元件之更新周期自动侦测装置,其中,该资料产生装置包含:一个第一电阻器,其具有一个连接至一个电力线之端点;一个第二电阻器,其串接于该第一电阻器之另一端;一个第三电阻器,其串接于该第二电阻器;一个第一开关,其具有分别连接至该第一电阻器之两端之两个端点;一个第二开关,其置于该第二及第三电阻器之间;写入驱动装置,其具有连接于该第一开关及该第二电阻器之一端之间之一个端点,且另一个端点系连接于该第二开关之另一端及该第三电阻器之一端之间;及一个第三开关,其具有两个端点,分别连接至该第三电阻器之一端及另一端,其中,该第一及第三开关于操作期间被该控制装置之控制讯号所导通,以寻找让更新周期,且在侦测该更新周期之后,该控制装置之控制讯号被输入作为一个反相讯号,以将该第二开关关闭。6.如申请专利范围第5项之用于半导体记忆体元件之更新周期自动侦测装置,其中,该第一及第三电阻器之每一个系可变电阻。7.一种更新周期外部输出系统,其系包含:一个侦测器装置,其侦测一个测试模式,以回应于一个由外部施加之给定位址讯号;一个更新测试控制装置,其系被该侦测装置之一个侦测讯号所致动,且产生复数个用于更新测试之控制讯号;一个更新电路装置,其产生一个讯号,以回应该控制讯号之一;一个资料输出控制装置,其控制资料输出,以回应该控制讯号之一;及一个资料输出电路,其产生一个讯号,以回应该资料输出控制装置之控制讯号之更新周期。8.一种自动侦测半导体记忆体装置之更新周期之方法,该方法包合下列步骤:侦测由一个系统施加之功率;产生一个用于内部资料读出/写入时序控制讯号及至少一个控制讯号,以回应一个输出侦测讯号;储存回应该控制讯号所产生之内部资料于一个晶胞之中;将该资料由该晶胞读出,以回应该控制讯号;比较由该晶胞中读出之资料及先前储存于晶胞中之资料,以回应该控制讯号;及假如该两个资料不互相对应,则决定资料读出及写入步骤之间之时间间隔作为资料维持时间,且储存该资料维持时间作为更新周期。9.如申请专利范围第8项之自动侦测半导体记忆体装置之更新周期之方法,其包含下列步骤:假如该两个资料彼此对应,则储存内部资料;由该晶胞读出资料;及重覆该比较步骤,直到藉由改变一个计时器装置之延迟时间而该两个资料不互相对应。10.如申请专利范围第8项之自动侦测半导体记忆体装置之更新周期之方法,其中,藉由该控制讯号,该内部资料高准位资料系被产生成比该系统之电源供应电压为低,且该低准位资料系被产生成比该系统之接地电压为高。图式简单说明:第1图系一个根据本发明之半导体记忆体元件之更新周期自动侦测装置之方块图;第2图系第1图之控制单元之方块图;第3图系一个根据本发明之半导体记忆体元件之更新周期外部输出装置之方块图;及第4图系说明根据第1图之资料产生单元之另一个实施例之部份结构图,其能改变资料之电压准位。 |
