| 主权项 |
1.一种以湿蚀刻方式去除一晶圆背面之复数个薄膜的方法,该复数个薄膜至少包含一第一介电层,该晶圆正面之表面为一第二介电层,该第一介电层邻接于该晶圆,该方法至少包含下列步骤:形成一第三介电层于该晶圆正面的该第二介电层上,以及该复数个薄膜表面上,该第一介电层与该第三介电层为同一材质;形成一第四介电层于该晶圆的正面方向上的该第三介电层上;以一第一蚀刻剂蚀刻该第三介电层,该第一蚀刻剂为液态,且该第一蚀刻剂不会蚀刻该第四介电层;以一第二蚀刻剂蚀刻该第四介电层以及除第一介电层之外的该复数个薄膜,该第二蚀刻剂为液态,且该第二蚀刻剂不会蚀刻该第一介电层;以及以一第三蚀刻剂蚀刻该第一介电层以及该第二介电层。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一介电层为复晶矽(poly silicon)。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二介电层为氮化矽(Si3N4)。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第四介电层为氮化矽(Si3N4)。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一蚀刻剂为氢氟酸(HF)、亚硝酸(HNO3)以及水(H2O)的混合溶液。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二蚀刻剂是纯度大约为49%之氢氟酸(HF)。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第三蚀刻剂为氢氟酸(HF)、亚硝酸(HNO3)以及水(H2O)的混合溶液。8.一种以湿蚀刻方式去除一晶圆背面之复数个薄膜的方法,该复数个薄膜至少包含一第一介电层,该晶圆正面之表面为一第二介电层,该第一介电层邻接于该晶圆,该方法至少包含下列步骤:形成一第三介电层于该晶圆正面的该第二介电层上,以及该复数个薄膜表面上,该第一介电层与该第三介电层为同一材质;形成一第四介电层于该晶圆的正面方向上的该第三介电层上;以一第一蚀刻剂蚀刻该第三介电层,该第一蚀刻剂为液态,且该第一蚀刻剂不会蚀刻该第四介电层,该第一蚀刻剂为氢氟酸(HF)、亚硝酸(HNO3)以及水(H2O)的混合溶液;以一第二蚀刻剂蚀刻该第四介电层以及除第一介电层之外的该复数个薄膜,该第二蚀刻剂为液态,且该第二蚀刻剂不会蚀刻该第一介电层,该第二蚀刻剂是纯度大约为49%之氢氟酸(HF);以及以一第三蚀刻剂蚀刻该第一介电层以及该第二介电层。9.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之第一介电层为复晶矽(poly silicon)。10.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之第二介电层为氮化矽(Si3N4)。11.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之第四介电层为氮化矽(Si3N4)。12.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之第三蚀刻剂为氢氟酸(HF)、亚硝酸(HNO3)以及水(H2O)的混合溶液。图式简单说明:第一图为晶圆在未经背面薄膜处理之前的剖视图。第二图为在整个晶圆表面形成一个复晶矽层之后的晶圆之剖视图。第三图为在晶圆正面的复晶矽层上形成一个氮化矽层之后的晶圆之剖视图。第四图为以正面的氮化矽层为遮罩,蚀刻掉背面的复晶矽层以及侧面的复晶矽层之后晶圆的剖面图。第五图为蚀刻掉各个氮化矽层以及氧化矽层之后晶圆的剖面图。第六图为蚀刻掉晶圆正面以及背面的各个复晶矽层之后晶圆的剖面图。 |
