| 主权项 |
1.一种制造用于半导体装置之氧化铝薄膜的方法,该方法包含下列步骤:a)准备一半导体底材并将该半导体底材置于反应室中;b)将做为铝源的改性三甲基铝通入反应室中,其将吸附于半导体底材上;c)利用将氮气通入到反应室中或真空清洁的方式,透过第一排气帮浦将未反应的改性三甲基铝或副产品排出;d)将氧气源通入到反应室中,其将吸附在半导体底材上;及e)利用将氮气通入到反应室中或真空清洁的方式,透过第二排气帮浦将未反应的氧气源或副产品排出。2.如申请专利范围第1项之方法,步骤b)到e)藉由使用原子层沈积技术不断重复直到在半导体底材上形成的氧化铝达到预定的厚度为止。3.如申请专利范围第1项之方法,其中半导体底材的温度应维持在200℃到450℃的范围。4.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤b)的进行时间为0.1-3秒。5.如申请专利范围第1项之方法,其中储存改性三甲基铝的容器温度应维持在50℃到100℃的范围中。6.如申请专利范围第5项之方法,其中从改性三甲基铝源容器到反应室的供应管线的温度要维持在70℃到180℃的温度范围内。7.如申请专利范围第1项之方法,其中的氧气源是从含有水汽、氧气、一氧化二氮和臭氧的族中所选择的材料。8.如申请专利范围第7项之方法,其中步骤d)的进行时间为0.1-3秒。9.如申请专利范围第1项之方法,其中氧化铝的沈积条件如下:反应室的温度为200℃到450℃的范围,压力约为300毫托耳。10.一种制造半导体装置的方法,该方法包含下列步骤:a)准备一含有底材、隔离区域、闸线、闸氧化层和第一绝缘层约主动矩阵;b)接着在主动阵列上形成一缓冲层和第一导电层;c)使用改性三甲基铝做为铝源,利用原子层沈积技术在第一导电层上形成一氧化铝介电层;d)在介电层上形成一第二导电层并使第二导电层、介电层、第一导电层和缓冲层成形,因此可得到一电容结构;e)在电容结构上形成一氢障壁层;f)在沈积一第二绝缘层后,形成字元线和局部连接;以及g)在字元线、局部连接和第二绝缘层上形成一保护层。11.如申请专利范围第10项之方法,其中的闸氧化层系由藉由使用原子层沈积技术及使用改性三甲基铝作为铝源材料的氧化铝所构成。12.如申请专利范围第10项之方法,其中的氢原子障壁层系由藉由使用原子层沈积技术及使用改性三甲基铝作为铝源材料的氧化铝所构成。13.如申请专利范围第10项之方法,在步骤c)之后还可以包含对介电层进行退火的步骤,以使其致密化。14.如申请专利范围第13项之方法,其中介电层的退火步骤可以在750℃到850℃的温度范围之间进行。15.如申请专利范围第11项之方法,其中的用以形成作为闸氧化成的氧化铝之氮气清洁的时间约5到10秒。16.如申请专利范围第13项之方法,其中作为氢原子障壁层的氧化铝,其形成的厚度范围在60到200的范围内。图式简单说明:图1A到1E系根据本发明之一较佳具体实例的用以制造含有氧化铝膜在其中的半导体装置的方法的截面图;以及图2系一利用原子层沈积技术沈积铝氧化膜之装置。 |
