发明名称 积体插座构造改良
摘要 一种积体插座构造改良,其改良部份在于电源线与各单元插座及开关之连接导通电流,系由一印刷电路板上表面无遮盖之裸铜薄电路所构成,且于过焊锡炉焊接各接点时,同时在整体裸铜薄电路表面镀上一层焊锡,增进导通电流之容量者。
申请公布号 TW481381 申请公布日期 2002.03.21
申请号 TW089208119 申请日期 2000.05.15
申请人 黄国敏 发明人 黄国敏
分类号 H01R13/73 主分类号 H01R13/73
代理机构 代理人 游明村 台北巿和平东路二段三六五号三楼
主权项 1.一种积体插座构造改良,主要系由上壳座结合下壳盖,于一端设电源线与其内复数个单元插座连接所构成,其特征在于:前述电源线与各单元插座及开关之连接导通电流,系由一印刷电路板上表面无遮盖之裸铜薄电路所构成,且于过焊锡炉焊接各接点时,同时在整体裸铜薄电路表面镀上一层焊锡,用以增进导通电流之容量者。2.如申请专利范围第1项所述之积体插座构造改良,其中之电源线系经一保护器输入电流至电路者。3.如申请专利范围第1项所述之积体插座构造改良,其中之复数个单元插座,每一单元插座各配置有一开关者。4.如申请专利范围第1项所述之积体插座构造改良,其中复数个单元插座系共用一开关者。5.如申请专利范围第1项所述之积体插座构造改良,其中之电源线亦可为插接插座之插接片者。图式简单说明:笫一图为本创作实施例外观立体图。第二图为第一图倒置位置,省略下壳体,显示内部构造,其中局部剖视。第三图为本创作另一实施例外观立体图。第四图为第三图倒置位置立体图。
地址 台北巿万华区隆昌街四十号