| 主权项 |
1.一种半导体晶圆制备方法,其包含:在一封住范围内设置一对具有对向关系的晶圆制备组件,各个该晶圆制备组件具有一第一晶圆制备构件与一第二晶圆制备构件;在晶圆制备组件间、一铅直方向中设置一半导体晶圆;旋转该晶圆;配向该晶圆制备组件,致使该第一晶圆制备构件与具有对向关系的该旋转晶圆之反面接触;以及,配向该晶圆制备组件,致使该第二晶圆制备构件与具有对向关系的该旋转晶圆之反面接触。2.如申请专利范围第1项的半导体晶圆制备方法,其中,该晶圆是在一铅直方向中移动而与该第一晶圆制备构件或该第二晶圆制备构件接触。3.如申请专利范围第1项的半导体晶圆制备方法,其中,该第一晶圆制备构件各自为一圆筒刷,且该第二晶圆制备构件各自为一圆筒状抛光垫。4.如申请专利范围第1项的半导体晶圆制备方法,其中,该第一晶圆制备构件各自为一圆筒状抛光垫,且该第二晶圆制备构件各自为一圆筒刷。5.如申请专利范围第1项的半导体晶圆制备方法,其中,该第一与该第二晶圆制备构件各自为一圆筒刷。6.如申请专利范围第1项的半导体晶圆制备方法,其中,该第一与该第二晶圆制备构件各自为一圆筒状抛光垫。7.如申请专利范围第1项的半导体晶圆制备方法,其中,设置该晶圆制备组件,致使该第一晶圆制备构件安装在该第二晶圆制备构件之上。8.一种半导体晶圆制备方法,其包含:在一封住范围内、一铅直方向中设置一半导体晶圆;以一第一对晶圆制备构件在封住范围内之晶圆上实施一第一晶圆制备操作;以及,以一第二对晶圆制备构件在封住范围内之晶圆上实施一第二晶圆制备操作。9.如申请专利范围第8项的半导体晶圆制备方法,其中,该第一晶圆制备操作为一清洗操作,且该第一对晶圆制备构件为一对圆筒刷,同时该第二晶圆制备操作为一抛光操作,且该第二对晶圆制备构件为一对圆筒状抛光垫。10.如申请专利范围第9项的半导体晶圆制备方法,其中,于抛光操作期间该晶圆是在一铅直方向中移动。11.如申请专利范围第8项的半导体晶圆制备方法,其中,该第一晶圆制备操作为一第一清洗操作,且该第一对晶圆制备构件为一第一对圆筒刷,同时该第二晶圆制备操作为一第二清洗操作,且该第二对晶圆制备构件为一第二对圆筒刷。12.如申请专利范围第11项的半导体晶圆制备方法,其中,安排该第一清洗操作以便移除相对粗糙微粒,且安排该第二清洗操作以便移除相对纤细微粒。13.如申请专利范围第8项的半导体晶圆制备方法,其中,该第一晶圆制备操作为一第一抛光操作,且该第一对晶圆制备构件为一第一对圆筒状抛光垫,同时该第二晶圆制备操作为一第二抛光操作,且该第二对晶圆制备构件为一第二对圆筒状抛光垫。14.如申请专利范围第13项的半导体晶圆制备方法,其中,安排该第一抛光操作以便移除一预期量的晶圆材料,且安排该第二抛光操作以便提供一预期的表面抛光。15.如申请专利范围第14项的半导体晶圆制备方法,其中,于该第一与该第二抛光操作至少其中之一期间内该晶圆是在一铅直方向中移动。16.一种半导体晶圆制备方法,其包含:在一铅直方向中旋转一半导体晶圆,该晶圆具有第一与第二反面;以一圆筒状晶圆制备构件接触晶圆的各个该第一与该第二反面,以便界定出一实质上线性的接触区域,系将该圆筒状晶圆制备构件设置在对向关系中,致使在该第一与该第二反面上将接触区域界定在相对应位置中;以及,在将该第一与该第二反面上所界定出的接触区域从一第一位置移至一第二位置时,控制至少一晶圆制备参数以便获得一可变晶圆材料移除率,制定该可变晶圆材料移除率以便提供一实质上均匀的厚度。17.如申请专利范围第1项的半导体晶圆制备方法,其中,该至少一晶圆制备参数是选自于由因晶圆制备构件而施加至该晶圆的一压力、该晶圆的一旋转速度、该晶圆制备构件的一旋转速度与将该第一与该第二反面上所界定出的接触区域从该第一位置移至该第二位置的移动速度所组成的族群。18.如申请专利范围第16项的半导体晶圆制备方法,其中,该圆筒状晶圆制备构件各自为一圆筒状抛光垫。19.如申请专利范围第16项的半导体晶圆制备方法,其中,该晶圆制备构件各自为一圆筒刷。20.如申请专利范围第16项的半导体晶圆制备方法,其中,该第一位置为该晶圆的一中线处,且该第二位置为从该晶圆中线相隔一距离处。21.如申请专利范围第20项的半导体晶圆制备方法,其中,该第二位置为接近该晶圆的一边缘处。22.如申请专利范围第16项的半导体晶圆制备方法,其中,该圆筒状晶圆制备构件为反方向旋转。图式简单说明:图1为本发明一实施例的晶圆制备装置之端视立面图。图2为图1所示的晶圆制备装置之侧视立面图,其中以横剖面方式显示右侧传动壳与其相对应之心轴及抛光垫,并显示出由晶圆传动轴组件支撑的晶圆(虚线图)。图3为图1所示的晶圆制备装置之端视立面图,其中显示在中心位置范围内的传动壳,而中心位置乃是指抛光垫不会与晶圆接触,而是与基座壁上设有的选用式衬垫调节器啮合。图4A为图1所示的晶圆制备装置之立面图,其中显示晶圆制备传动组件、用于枢轴转动晶圆制备组件的杆,与用于枢轴转动枢轴杆的线性促动器,以上这些配件均设置在基座外侧。图4B为图4A所示的杆与线性促动器之详图,其中显示的促动器杆乃是呈现往上、已延伸状态。图5A为本发明又一实施例的晶圆制备组件之横剖面,其中的自身配向心轴具有与刷子结合的衬垫。图5B为图5A所示的自身配向心轴组件之详图,其中着重于几近罩心支点的区域上。图6为针对习用中线抛光标的之4种测试晶圆所做、晶圆材料移除率对横跨晶圆表面放射状位置之图表。图7A与7B一并显示从习用中线抛光标的之4种测试晶圆上移除的晶圆材料之角度分布。图8A与8B为针对习用操作中仅于晶圆中线抛光进行抛光的测试晶圆所做、晶圆材料移除率(A/m)对横跨晶圆表面位置之图表。图9A与9B为针对本发明一实施例中使用非直径抛光进行抛光的测试晶圆所做、晶圆材料移除率(A/m)对横跨晶圆表面位置之图表。图10为本发明一实施例的一种晶圆制备站之三度空间图。图11A与11B为本发明一实施例的晶圆制备装置之详细说明图。 |
