| 主权项 |
1.一种离子化物理蒸镀装置,其包含:一真空室,其有一隔室壁围绕该室内一真空处理空间,该隔室壁内有一开口在该室之一端;一离子化物理蒸镀源总成,其安置于该隔室壁开口内且形成一真空密封;一气体供应系统,其与该室连接以便对该处理空间供应一气体;一真空系统,其与该室连接且作用将该处理空间内气体维持在一真空压力级;一射频能量源,其在该室外侧;该离子化物理蒸镀原包括:一环状涂层物质源,涂层物质自此供应至该处理空间,该环状源有一开放中心及至少一表面与该真空处理空间连通,一窗总成,其包括一介电窗安置于该环状源之开放中心且与该隔室壁形成一真空密封围蔽件之局部且有一隔室侧及一外侧,及一线圈,其在该室外侧位于该室与该介电窗相邻且在其上之该端且与该射频能量源连接以便在藉此供能时将能量自该射频能量源感应耦合通过该窗并进入该处理空间以在该处理空间内维持一感应耦合电浆浓密到足以在该处理空间内自该环状源使涂层物质离子化;一基体支撑件,其在该室内与该环状涂层物质源以该处理空间相向且其上有一晶圆支撑面面向该处理空间。2.如申请专利范围第1项之装置,其中:该环状涂层物质源包括一截头圆锥形溅射靶有一后表面,一截头圆锥形前溅射表面在该室内面向该处理空间,一内框缘及一外框缘,该外框缘比该内框缘接近该基体支撑件之晶圆支撑面的平面。3.如申请专利范围第2项之装置,其中该溅射靶的外径比该基体支撑件之晶圆支撑面大。4.如申请专利范围第2项之装置,其中该离子物理蒸镀源更包括:一截头圆锥形永久磁体总成,其与该标靶后表面相邻且设计为在该标靶前表面附近产生一溅射电浆约束磁场。5.如申请专利范围第2项之装置,其中具有大约110之圆锥扩张角。6.如申请专利范围第2项之装置,其中该溅射靶与该隔室壁形成一真空密封围蔽物之局部,该隔室壁之后表面不与该处理空间接触。7.如申请专利范围第6项之装置,其中该离子化物理蒸镀源总成更包括真空密封机构介于该溅射靶与隔室壁间及介于该溅射靶与窗间。8.如申请专利范围第1项之装置,其更包含:一可更换薄金属隔室护屏介于该处理空间与隔室壁之间,该隔室护屏包括:一大致圆柱形部分围绕该处理空间且在远离该处理空间之热曝照的复数个点支撑于长条形支撑件上,及一环形末端部分围绕该基体支撑件且与该圆柱形部分重叠但不接触以保护该隔室壁不在其附近受涂层物质沈积且避免该等部分间因其中一部分之热膨胀而接触;且该离子化物理蒸镀源总成包括一环状暗区护屏围绕一环状涂层物质源且与该隔室护屏圆柱形部分有所距离且非常接近地重叠以便保护该隔室壁不受涂层物质沈积在其附近。9.如申请专利范围第1项之装置,其中:在该窗与处理空间之间具备机构用来物理性屏蔽该窗内侧不受导电涂层物质沈积且维持射频能量自该线圈有效地感应耦合至该处理空间内。10.如申请专利范围第1至9项中任一项之装置,其中:该线圈为一立体射频线圈设计为使适过其线匝延伸之磁场线主要弯拱穿过该介电窗及处理空间。11.如申请专利范围第1至9项中任一项之装置,其中该离子化物理蒸镀源总成更包括:一窗屏,其在该室内平行且非常接近该介电窗且设计为实质屏蔽该窗不受涂层物质沈积并许可射频能量自该线圈通过该窗及护屏实质感应耦合至该处理空间内。12.如申请专利范围第11项之装置,其中:该窗屏为一导电法拉第屏,其内具有设计为与该线圈有关之复数个不导电特征处以便许可射频能量自该线圈通过该窗及护屏实质感应耦合至该处理空间内同时避免射频能量自该线圈实质感应耦合至该室内。13.如申请专利范围第11项之装置,其中:该窗屏具有复数个人字纹槽缝设计为与该线圈有关以许可射频能量自该线圈通过该窗及护屏实质感应耦合至该室内而不提供一穿过该等槽缝之视线路径让涂层物质自该室运动至该窗上。14.如申请专利范围第11项之装置,其中:该窗屏具有复数个槽缝且与该窗有所距离且该等槽缝之尺寸促使电浆形成于该等槽缝与窗之间清除在该等槽缝处沈积于该窗上之物质。15.如申请专利范围第11项之装置,其中:该窗屏由铸造金属构成且具有与其整合在一起之冷却流体通路。16.如申请专利范围第1至9项中任一项之装置,其中:该气体及/或真空系统包括一压力控制器设计为将该室内真空压力保持为够高使电浆内离子在该处理空间内本质上热化使得此等离子在该支撑件晶圆支撑面上之一晶圆上的分布、能量及方向性因跨越高密度电浆与晶圆间一电浆鞘场之电场而占优势。17.如申请专利范围第16项之装置,其中该气体供应及压力控制系统包括在物质沈积过程中将该真空室内压力维持在至少30毫托之机构。18.如申请专利范围第16项之装置,其中该气体供应及压力控制系统包括在物质沈积过程中将该真空室内压力维持在30毫托至130毫托间之机构。19.如申请专利范围第1至9项中任一项之装置,其中该标靶与该晶圆支撑件距离6英寸至9英寸。20.如申请专利范围第1至9项中任一项之装置,其中该离子化物理蒸镀源总成更包括一高介电常数材料之间隔件介于该线圈与该窗之间。21.如申请专利范围第20项之装置,其中该间隔件由一塑胶材料(例如铁氟龙)构成且实质填充该线圈与该介电窗间之空间。22.如申请专利范围第1至9项中任一项之装置,其中该基体支撑件可动地安装于该隔室壁且可相对于该标靶定位成距离6英寸至9英寸。23.如申请专利范围第1至9项中任一项之装置,其中:该基体支撑件包括一静电夹盘以将一晶圆基体保持在晶圆支撑平面进行处理,该静电夹盘包括一双极网栅及多区晶圆偏压系统连接于该双极网栅。24.如申请专利范围第1至9项中任一项之装置,其更包含下列机构之一或多个:加热及冷却机构,其在该晶圆支撑件内,背侧气体传导机构,其介于该晶圆支撑面与支撑于该晶圆支撑面上晶圆支撑平面之一晶圆之间,一非接触荫障环,其覆于该晶圆支撑件上一基体之周围边缘上。25.如申请专利范围第1项之装置,其中:该真空室在其顶部具有开口;且该离子化物理蒸镀源总成包括:一壳体总成,其具有:一外部接地连接器,一外部标靶功率连接器,一射频功率源连接器,外部冷却流体再循环埠口,一内部标靶功率端子,至少二个内部射频连接器,复数个内部冷却流体埠口,及不导电支撑结构;该射频线圈总成可拆地固定于该壳体且其中该线圈为一立体线圈可拆地跨该等内部射频连接器连接,且该线圈有一冷却通路穿过该线圈可拆地跨该等内部冷却流体埠口中至少二个埠口连接;一环形永久磁体总成,其可拆地固定于该壳体且围绕该射频线圈总成;该窗总成可拆地固定于该壳体或该线圈总成;该环状涂层物质源包括一环形标靶总成可拆地连接于该壳体且在如此连接时具有与该窗形成一真空密封之机构,该标靶总成包括一环形消耗性溅射靶及对该标靶形成一液体密封冷却通路之机构可拆地跨该等内部冷却流体埠口中至少二个埠口连接,该标靶总成有一电连接器可拆地连接该壳体之内部标靶功率端子;及在连接该离子化物理蒸镀源总成时于该标靶总成与一真空处理室之隔室壁间形成一真空密封的机构。26.如申请专利范围第25项之装置,其中:形成该标靶总成液体密封冷却通路之机构包括一标靶背侧罩盖,该罩盖可脱离该标靶且在其自身与标靶间定义该液体密封冷却通路。27.如申请专利范围第25项之装置,其中:该射频线圈总成包括一高介电常数间隔件固定于该线圈且自该线圈延伸至该窗。28.如申请专利范围第25项之装置,其中:该窗总成包括一导电护屏具有复数个不导电特征处且与该介电窗连接,该护屏经电接地或以其他方式电连接于该壳体且具有冷却通路穿过该护屏可拆地跨该等内部冷却流体埠口中至少二个埠口连接。29.如申请专利范围第25项之装置,其中:介于该标靶总成与一真空处理室之隔室壁间的该真空密封形成机构包括一环形凸缘,该凸缘可拆地连接于该壳体且其上具有连接于该壳体时与该标靶总成形成一密封之机构以及在该离子化物理蒸镀源总成安装于一处理室上时与该真空处理室之隔室壁形成一真空密封的机构。30.如申请专利范围第25项之装置,其中:该壳体总成之外部接地连接器包括一正直流电馈线连接于该来源壳体且可连接至一处理装置上之一接地部;该外部标靶功率连接器包括一负直流电连接器安装于该壳体总成且定位为在该离子物理蒸镀源总成安装于一处理装置之隔室壁上时连接至一处理室壁上之一负端子连接器;该内部标靶功率端子包括一负直流电馈线固定于该壳体总成且与地面隔绝;该射频功率源连接器包括一射频调谐器安装于该来源壳体,具有可连接于一射频功率源之射频传输线,且具有与其连接之内部射频连接器;该壳体总成上具有互锁开关机构用来调节射频功率以及冷却水在该线圈之适当连结处施加于该线圈,且其上更具有互锁机构用来调节直流电功率及冷却水在该标靶总成之适当连结处施加于该标靶总成;该标靶总成为一截头圆锥形环状标靶总成,其包括一截头圆锥形溅射靶,一标靶背侧罩盖设计为与该截头圆锥形标靶形成一水封以将该冷却液体通路包在该罩盖与标靶之间,及卡栓连接结构围绕该罩盖及标靶之一周长用来藉由一转动运动将该标靶连接及拆离该罩盖;该窗总成包括一导电护屏具有复数个人字纹槽缝设计为避免一穿过该等槽缝之视线路径让涂层物质自该室运动至该窗上,该护屏连接于该窗且与该窗有所距离且该等槽缝之尺寸促使电浆形成于该等槽缝与窗之间清除在该等槽缝处沈积于该窗上之物质;及该线圈总成包括一导电围蔽件围绕该线圈以便对自该线圈向该围蔽物外该窗外侧发出之射频提供一阻障,该围蔽件具有穿透开口供该线圈之冷却流体埠口及射频端子使用。31.一种离子化物理蒸镀源总成,其用来供应并离子化物质以涂布一半导体晶圆,该总成包含:一壳体总成,其具有:一外部接地连接器,一外部标靶功率连接器,一射频功率源连接器,外部冷却流体再循环埠口,一内部标靶功率端子,至少二个内部射频连接器,复数个内部冷却流体埠口,及不导电支撑结构;一射频线圈总成可拆地固定于该壳体且其包括:一立体线圈,其可拆地跨该等内部射频连接器连接,且该线圈有一冷却通路穿过该线圈可拆地跨该等内部冷却流体埠口中至少二个埠口连接;一环形永久磁体总成,其可拆地固定于该壳体且围绕该射频线圈总成;一窗总成,其可拆地固定于该壳体或该线圈总成,该窗总成包括一实质平坦介电窗;一环形标靶总成,其可拆地连接于该壳体且在如此连接时具有与该窗形成一真空密封之机构,该标靶总成包括一环形消耗性溅射靶及对该标靶形成一液体密封冷却通路之机构可拆地跨该等内部冷却流体埠口中至少二个埠口连接,该标靶总成有一电连接器可拆地连接该壳体之内部标靶功率端子;及在连接该离子化物理蒸镀源总成时于该标靶总成与一真空处理室之隔室壁间形成一真空密封的机构。32.如申请专利范围第31项之总成,其中:形成该标靶总成液体密封冷却通路之机构包括一标靶背侧罩盖,该罩盖可脱离该标靶且在其自身与标靶间定义该液体密封冷却通路。33.如申请专利范围第32项之总成,其中:该标靶总成包括可更换冷却液体流量控制机构安装于该液体密封冷却通路内以许可变更流经该通路之冷却液体流量。34.如申请专利范围第31项之总成,其中:该射频线圈总成包括一高介电常数间隔件固定于该线圈且自该线圈延伸至该窗。35.如申请专利范围第31项之总成,其中:该窗总成包括一导电护屏具有复数个不导电特征处且与该介电窗连接,该护屏经电接地或以其他方式电连接于该壳体且具有冷却通路穿过该护屏可拆地跨该等内部冷却流体埠口中至少二个埠口连接。36.如申请专利范围第35项之总成,其中:该导电护屏为一开槽法拉第屏,其内具有设计为与该线圈有关之复数个不导电特征处以便许可射频能量自该线圈实质感应耦合通过该窗及护屏同时避免射频能量自该线圈实质电容耦合通过该窗及护屏。37.如申请专利范围第35项之总成,其中:该导电护屏连接于该介电窗以便一起自该壳体拆下。38.如申请专利范围第35项之总成,其中:该窗总成包括使该护屏保持与该窗相隔一小段距离之机构。39.如申请专利范围第35项之总成,其中:该标靶功率连接器为一连接至一直流电源之直流电连接器;且该标靶为一金属标靶。40.如申请专利范围第31项之总成,其中:介于该标靶总成与一真空处理室之隔室壁间的该真空密封形成机构包括一环形凸缘,该凸缘可拆地连接于该壳体且其上具有连接于该壳体时与该标靶总成形成一密封之机构以及在该离子化物理蒸镀源总成安装于一处理室上时与该真空处理室之隔室壁形成一真空密封的机构。41.如申请专利范围第40项之总成,其中:该环形凸缘含有在藉由重力及藉由一在顶部有一来源开口之处理室内有真空作用时之大气压力支撑于该处理室之壁上该开口周围时有效地将该离子化物理蒸镀源总成连接于该隔室壁的机构。42.如申请专利范围第31项之总成,其中:该壳体总成之外部接地连接器包括一正直流电馈线连接于该来源壳体且可连接至一处理装置上之一接地部;该外部标靶功率连接器包括一负直流电连接器安装于该壳体总成且定位为在该离子物理蒸镀源总成安装于一处理装置之隔室壁上时连接至一处理室壁上之一负端子连接器;该内部标靶功率端子包括一负直流电馈线固定于该壳体总成且与地面隔绝;该射频功率源连接器包括一射频调谐器安装于该来源壳体,具有可连接于一射频功率源之射频传输线,且具有与其连接之内部射频连接器;该壳体总成上具有互锁开关机构用来调节射频功率以及冷却水在该线圈之适当连结处施加于该线圈,且其上更具有互锁机构用来调节直流电功率及冷却水在该标靶总成之适当连结处施加于该标靶总成;该标靶总成为一截头圆锥形环状标靶总成,其包括一截头圆锥形溅射靶,一标靶背侧罩盖设计为与该截头圆锥形标靶形成一水封以将该冷却液体通路包在该罩盖与标靶之间,及卡栓连接结构围绕该罩盖及标靶之一周长用来藉由一转动运动将该标靶连接及拆离该罩盖;该窗总成包括一导电护屏具有复数个人字纹槽缝设计为避免一穿过该等槽缝之视线路径让涂层物质自该室运动至该窗上,该护屏连接于该窗且与该窗有所距离且该等槽缝之尺寸促使电浆形成于该等槽缝与窗之间清除在该等槽缝处沈积于该窗上之物质;及该线圈总成包括一导电围蔽件围绕该线圈以便对自该线圈向该围蔽物外该窗外侧发出之射频提供一阻障,该围蔽件具有穿透开口供该线圈之冷却流体埠口及射频端子使用。43.如申请专利范围第40项之总成,其更包含:复数个可手动操作系结件,其用来将该环形凸缘固定于该壳体及将该标靶总成可释放地固定于该离子化物理蒸镀源。44.一种物理蒸镀装置之可更换隔室护屏,其包含:一大致圆柱形薄金属部分,其设计为包围一真空处理室内一处理空间且支撑于在围绕该室沿周围相隔远离该处理空间热曝照之复数个点之至少三个长条形支撑件当中的复数个支撑件上;及一环形末端部分,其设计为围绕该室内一基体支撑件且与该圆柱形部分重叠但不接触以保护该室之壁不在其附近受涂层物质沈积且避免该等部分间因其中一部分之热膨胀而接触。45.一种环状涂层物质源,其包含:一截头圆锥形溅射靶,其具有:一截头圆锥形前溅射表面,其具有大约110之圆锥扩张角,一中央开口,一大致圆柱形向后延伸内框缘,其与该中央开口相邻且其内有一环封沟槽定义一后真空耦接件,该内框缘在其外侧具有复数个沿周围相隔之堞状特征处以容许该标靶组合于一冷却流体罩盖且在其内侧有一梯级围绕该开口且该梯级上有一真空密封面,一大致环形碟状向外延伸外框缘,其上有一面前细抛光表面定义一前真空耦接件,及一后表面,其有一内环形冷却流体密封表面邻近该内框缘,一外环形冷却流体密封表面邻近该外框缘及一光滑环形冷却表面介于该内环形冷却流体密封表面与外环形冷却流体密封表面之间。46.一种贱射靶总成,其包含如申请专利范围第45项之涂层物质源且更包含:一截头圆锥形冷却流体罩盖,其设计为与该标靶后表面相接,该罩盖具有:一中央开口,一内框缘,其与该中央开口相邻且在其内侧具有沿周围相隔之卡栓总成结构设计为与该标靶内框缘上堞状特征处接合以在该标靶相对于罩盖转动数分之一圈时使该罩盖连接于标靶,一外框缘,一前表面,其有一内环形流体密封邻近该罩盖内框缘设计为在该标靶相对于该罩盖转动至一旋紧位置时抵住该标靶之内环形冷却流体密封表面形成一冷却流体密封,一外环形流体密封邻近该罩盖外框缘设计为在该标靶相对于该罩盖转动至一旋紧位置时抵位该标靶之外环形冷却流体密封表面形成一冷却流体密封,及一环形冷却流体管道介于该等内外环形密封之间。47.如申请专利范围第46项之溅射靶总成,其中该罩盖更具有:一对冷却流体埠口,其穿透该罩盖且与该管道连通;复数个沟槽,每一沟槽有一梳状流量限制件可拆地安装于其内且其内具有复数个分流凹口;及一标靶功率连接器,其自此向后延伸48.一种涂层物质护屏,其用来保护一半导体晶圆处理装置内一介电窗同时许可射频能量穿透耦合,该护屏包含:一平坦金属圆碟,其有一前侧,一背侧,一环形框缘部分在其内包住一冷却流体通路及复数个冷却流体埠口在其背侧上与该冷却流体通路连通,及一圆形平坦中央部分具有复数个穿透平行槽缝在其内包住冷却流体通路与该框缘内冷却流体通路连通。49.如申请专利范围第48项之护屏,其中该等槽缝具有人字纹形断面。50.如申请专利范围第48项之护屏,其中该碟为铜制且有一镀铝表面。51.一种介电窗总成,其用来让射频能量穿过耦合至一包含如申请专利范围第48项之护屏的半导体晶圆处理装置内,且其更包含:一平坦圆介电窗,其具有复数个穿透孔,该窗在自该护屏伸出定义护屏流体埠口之结构上连接于该护屏,该窗与该护屏有所距离且定向为平行于该护屏,该窗更在其与护屏相向之侧的边缘有一环形真空密封表面。52.一种离子化物理蒸镀方法,其包含以下步骤:维持一真空室之压力在50毫托至120毫托;自在一真空处理室内处理空间之一端的一个涂层物质环使该物质之粒子释入该处理空间内,该处理物质环由铜或钽构成;使射频能量自该室之外一线圈感应耦合通过在该涂层物质环中央之一涂层物质内开口至该处理空间内;藉由该耦合射频能量在该处理空间内形成一感应耦合电浆,该电浆浓密到足以使该处理空间内之大部分涂层物质热离子化;以电气方式将涂层物质正离子自该电浆朝基体导引并至基体上。53.一种维护离子化物理蒸镀装置之方法,其包含以下步骤:提供一面下离子化物理蒸镀源总成覆盖一真空处理室顶上之一开口,该总成具有:一壳体总成,其具有标靶功率连接器、射频功率连接器及冷却流体连接器,一射频线圈总成,其可拆地固定于该壳体且连接于该等射频功率连接器及冷却流体连接器,一环形永久磁体总成,其可拆地固定于该壳体且包围该射频线圈总成;一窗总成,其可拆地固定于该壳体或线圈总成,该窗总成包括一实质平坦介电窗及一导电护屏,该护屏之内有复数个不导电特征处且连接于该介电窗,该护屏经电接地或以其他方式电连接于该壳体且具有穿透之冷却通路可拆地连接于该壳体之冷却流体连接器,该护屏设计为与该线圈有关以便许可射频能量自该线圈实质感应耦合通过该窗及护屏,且该护屏连接于该介电窗以便可与该介电窗一同拆离该壳体,一环形标靶总成,其可拆地连接于该壳体且具有在如此连接时与该窗形成一真空密封之机构,该标靶总成包括一环形消耗性溅射靶及对该标靶形成一液体密封冷却通路之机构可拆地跨该等内部冷却埠口中至少二个埠口连接,该标靶总成可拆地电连接该壳体之标靶功率连接器和该壳体之冷却流体连接器,及一环形凸缘,其系结于该壳体且包括在该离子化物理蒸镀源总成支撑于一真空处理室壁上时于该标靶总成与真空处理室壁间形成一真空密封之机构;自该室壁顶部解封该离子化物理蒸镀源总成且将该离子化物理蒸镀源总成自该室壁顶部举起;倒转该离子化物理蒸镀源总成之取向使其为面上;用手自该来源壳体松开该凸缘以释放并拆下该凸缘及标靶总成;更换该标靶总成内之标靶;用手将该凸缘重新系结于该凸缘壳体并藉此将该凸缘及标靶总成固定于该离子化物理蒸镀源总成;倒转该离子化物理蒸镀源总成直至其为面下;将该离子化物理蒸镀源总成降下至该室壁顶上。54.如申请专利范围第53项之方法,其更包含以下步骤:在拆下该标靶总成后更换标靶总成之前,拆下该窗总成且自其拆下并更换该护屏,然后重新装回该窗总成。55.如申请专利范围第53项之方法,其中:该护屏为铜制且有一镀层表面;该方法更包含以下步骤:在拆下该标靶总成后更换标靶总成之前,拆下该窗总成且自其拆下该护屏,藉由自护屏溶掉该镀层表面之方式重建该护屏或先前自一离子化物理蒸镀源拆下之相似护屏以藉此去除护屏上沈积物,然后重新镀上该护屏表面并将重建后护屏装到该窗总成,然后将该窗总成重新装回该离子化物理蒸镀源。56.如申请专利范围第53项之方法,其更包含以下步骤:在拆下该标靶总成后更换标靶窗总成之前,拆下该磁体总成并换上一个不同构造的磁体总成。57.如申请专利范围第53项之方法,其更包含以下步骤:在拆下该窗总成后更换窗总成之前,拆下并维护该离子化物理蒸镀源总成之其他组件。58.一种屏蔽离子化物理蒸镀装置之介电窗的方法,其包含以下步骤:在一离子物理蒸镀处理装置之一离子化物理蒸镀源内提供一圆形金属护屏,该护屏有一中央框缘以及穿透一个由该框缘围绕之中央区的复数个槽缝,该护屏在其内有冷却流体通路且其具有将该等冷却通路连接至一冷却流体外部再循环源之埠口,该护屏有一与其构成金属不同材料之镀层表面;自该离子化物理蒸镀源拆下该护屏;在拆下该护屏之后,藉由自该护屏溶掉该镀层表面并藉此去除护屏上沈积物然后重新镀上让屏表面之方式重建该护屏;然后将该重建后护屏装到一离子化物理蒸镀处理装置之离子化物理蒸镀源内。图式简单说明:图1为依据本发明离子化物理蒸镀装置之一实施例的剖面简图。图1A为与图1相似之剖面图,图中装置之离子化物理蒸镀源已拆开。图1B与图1A相似,图中显示已拆开来源凸缘及标靶总成之该装置离子化物理蒸镀源。图1C为图1装置之离子化物理蒸镀源的局部剖面简图,所取剖线系在下文所述图13当中取得。图1D为图1C离子化物理蒸镀源之分解透视图。图2为图1C和1D离子化物理蒸镀源之壳体部分的分解透视图。图3为图1C和1D离子化物理蒸镀源之标靶总成部分的分解透视图。图3A为图3标靶总成之局部罩盖的局部透视图。图4为图1C和1D离子化物理蒸镀源之磁控管磁体总成的剖面放大简图。图5与图4相似,其为一替代磁体总成之剖面放大图。图6为图1C和1D离子化物理蒸镀源之窗屏及窗总成的分解透视图。图6A为图6之打圈标示部分的剖面图。图7为图1C和1D离子化物理蒸镀源之射频来源总成的剖面图。图8为图7射频来源总成之分解透视图。图9为图1C和1D离子化物理蒸镀原之冷却歧管安装总成,所取剖线系在下文所述图13当中取得。图10为图9总成之一流体耦合总成部分实施例的剖面放大图,所取剖线系在下文所述图13当中取得。图11为图9总成供图6窗及屏总成使用之安装连接器总成的剖面放大图,所取剖线系在下文所述图13当中取得。图12为图1C和1D离子化物理蒸镀源总成之图9总成之一直流电接触短管部分的剖面放大图,所取剖线系在下文所述图13当中取得。图13为图1C和1D离子化物理蒸镀源总成之磁体及冷却歧管安装总成部分顶视图。图13A为图13之打圈标示13A部分的放大图。图14为图1C和1D离子化物理蒸镀源总成之离子化物理蒸镀源凸缘及暗区护屏的分解透视图。图15为图1装置之静电夹盘晶圆支撑总成的底部透视图。图16为图1装置用于图15晶圆支撑件之晶圆支撑及升降总成部分的分解透视图。图17为图16晶圆支撑总成部分之一轴向剖面图。图18为图1装置之晶圆支撑垂直位置调整总成之透视图。图19为图1装置之真空室壁总成之顶部透视图。图20为图1装置之下部侧面透视图,图中特别显示图19之真空室壁总成以及该装置之气体真空系统部分。图21为图20气体真空系统之简图。图22为图1装置之隔室壁总成之溅射屏部分的分解透视图。图23为图1装置之离子化物理蒸镀源升降机构之分解透视图。 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