| 主权项 |
1.一种彩色阴极射线管装置,其具有一对水平偏转线圈,俾产生向水平方向偏转电子枪本体射出之多数电子束之水平偏转磁场,其特征为包含补偿机构,产生一磁场,以补偿上述水平偏转线圈温度变化所引起之水平偏转磁场变化,上述补偿机构,包括:补助线圈,供给同步于上述电子束之水平偏转之电流;及控制元件,因应上述水平偏转线圈温度变化供给上述补助线圈之电流。2.如申请专利范围第1项之彩色阴极射线管装置,其中上述补助线圈设于垂直轴附近,而上述控制元件系并联连接于上述补助线圈。3.如申请专利范围第1项之彩色阴极射线管装置,其中上述补助线圈设于水平轴附近,而上述控制元件系串联连接于上述补助线圈。4.如申请专利范围第1项之彩色阴极射线管装置,其中上述补助线圈包括:第1线圈,设于垂直轴侧;及第2线圈,设于水平轴附近;且上述控制元件系并联连接于上述第1线圈,同时串联连接于上述第2线圈。5.如申请专利范围第4项之彩色阴极射线管装置,其中上述补助线圈产生之磁场非齐一磁场。6.一种彩色阴极射线管装置,包含:电子枪本体,射出多数电子束;及偏转轭,具有:水平偏转线圈,向水平方向偏转从上述电子枪本体射出之多数电子束;及垂直偏转线圈,向垂直方向偏转;其特征为:具备补偿机构,产生一磁场,以补偿上述水平偏转线圈温度变化所引起之水平偏转磁场变化,而上述补偿机构,包括:补助线圈,供给同步于上述电子束之水平偏转之电流;及控制元件,因应上述水平偏转线圈温度变化供给上述补助线圈之电流;上述控制元件,系一种电感元件,包括:线圈;及磁芯,由磁性材料形成,而该磁性材料比上述偏转轭之心子部因温度变化之导磁率之变化比例为大。图式简单说明:图1系本发明一实施形态有关之彩色阴极射线管装置之构造局部断面图。图2系图1所示彩色阴极射线管装置之具有补偿机构之偏转轭构造断面图。图3系图2所示补偿机构之构造电路图。图4系本发明之其他实施形态有关之具备补偿机构之偏转轭构造断面图。图5系图4所示补偿机构之构造电路图。图6系本发明之另一其他实施形态有关之具备补偿机构之偏转轭构造断面图。图7系图6所示补偿机构之构造电路图。图8系一对侧向束对萤光幕集中之说明图。图9系先前之彩色阴极射线管装置之偏转轭构造断面图。图10系因水平偏转线圈之热膨胀位移产生之一对侧向束之不聚焦说明图。 |
