| 主权项 |
1.一种制程反应室之压力控制装置,包括:一排气口,系为环形圆管结构,其可以将制程反应所产生之废气排出;复数个叶片,系利用枢接部平均枢接于排气口之管径上,并透过枢接部的转动带动叶片的旋转,使叶片中间形成一圆孔区域;以及一调整装置,可同步控制上述叶片之枢接部的转动角度,以控制叶片转动的角度和中间圆孔区域的面积。2.如申请专利范围第1项所述之制程反应室之压力控制装置,其中上述叶片之枢接部表面设有齿轮,该调整装置具有一内调节轮其内侧设有内齿轮,该调整装置系套合于排气口外侧其内齿轮系与枢接部表面之齿轮囓合,并透过齿轮驱动枢接部转动,以控制叶片转动的角度和中间圆孔区域的面积。3.如申请专利范围第2项所述之制程反应室之压力控制装置,其中该调整装置更包括一外调节轮套合于内调节轮之上,上述外调节轮系利用磁力效应带动内调节轮转动。4.如申请专利范围第3项所述之制程反应室之压力控制装置,其中压力控制装置系利用一马达控制外调节轮的旋转。5.如申请专利范围第4项所述之制程反应室之压力控制装置,其中压力控制装置所使用的马达系为直流马达或伺服马达。6.如申请专利范围第1项所述之制程反应室之压力控制装置,其中该制成反应室系应用于电浆蚀刻或化学气相沉积制程。7.如申请专利范围第1项所述之制程反应室之压力控制装置,其中上述叶片的形状系经过适当的设计,使叶片展开的角度与中间圆孔区域的面积成一线性比例的关系。8.如申请专利范围第1项所述之制程反应室之压力控制装置,其中该排气口系利用一真空抽气装置将制程反应室内部之气体抽出。9.如申请专利范围第1项所述之制程反应室之压力控制装置,其中上述叶片系以8片为最佳。10.如申请专利范围第1项所述之制程反应室之压力控制装置,其中该制程反应室系包括一主反应室以及一晶圆承座,晶圆系置于承座之上并透过承座送入主反应室内部进行制程反应。11.如申请专利范围第10项所述之制程反应室之压力控制装置,其中该晶圆承座系为一阴极板,其与主反应室之间系形成一适当的电位差,该电位差可以将电浆解离并对承座上之晶圆进行离子轰击。图式简单说明:图一系为习知技术一制程反应室之压力控制装置示意图;图二A、二B系为习知技术一之气体压力调整示意图;图三系为习知技术二制程反应室之压力控制装置示意图;图四A、四B系为习知技术二之气体压力调整示意图;图五A、五B系为习知技术三之气体压力调整之另一实施例图;图六系为本创作之制程反应室之压力控制装置之示意图;图七A~七C系为本创作之压力控制装置之调节装置示意图。 |
