发明名称 具备防止反应副生成物附着之装置之排气管及防止反应副生成物附着之方法
摘要 本发明提供一种能有效防止从反应真空室等排气时所用的排气管内面附着堆积排气中所含的物质的排气管。其特征为:排气管10具有:在内部具有排气通路10,的内筒11、及在该内筒之外侧隔着空隙15而设置的外筒12、以及安装于内筒11的加热装置13,且前述空隙15系连通于前述排气通路10'者。由于空隙15系在排气之际随着排气通路10'成为真空状态而成为真空状态之故,可抑制来自加热装置的往外部的热之释放。因此,由于可有效加热内筒11并使之成为高温之故,可防止排气中所含的物质附着并堆积于内筒11之内面。又,藉由沿着内筒11之内面形成的惰性气体等之气体流层18,亦可防止上述附着及堆积。
申请公布号 TW480192 申请公布日期 2002.03.21
申请号 TW090103321 申请日期 2001.02.14
申请人 荏原制作所股份有限公司 发明人 驹井哲夫;野村典彦
分类号 B08B9/02 主分类号 B08B9/02
代理机构 代理人 洪武雄 台北巿城中区武昌街一段六十四号八楼;陈昭诚 台北巿武昌街一段六十四号八楼
主权项 1.一种排气管,其特征在具有:在内部具有排气通路的内筒;在该内筒之外侧隔着空隙而设置的外筒;以及安装于内筒的加热装置,且前述空隙系经连通于前述排气通路者。2.如申请专利范围第1项之排气管,其中,为了沿着前述内筒之内壁面形成惰性气体或氮气之层,于前述内筒内具有因以导入惰性气体或氮气的装置。3.如申请专利范围第1项之排气管,其中,前述内筒与外筒系隔着隔热构件而相连结。4.如申请专利范围第1项至第3项中任一项之排气管,其中,前述内筒系较外筒为短,且该内筒之上游端连结于外筒,而下游端则形成有用以将前述空隙连通至前述排气通路的连通口。5.如申请专利范围第4项之排气管,其中,设有以不与前述空隙连通的方式贯通前述外筒与内筒的上游端而在内筒之内壁面开口的气体导入口,并通过该气体导入口而导入前述惰性气体或氮气。6.如申请专利范围第1项至第3项中任一项之排气管,其中,前述内筒系较外筒为短,且该内筒之下游端连结于外筒,而上游端则形成有用以将前述空隙连通至前述排气通路的连通口。7.如申请专利范围第6项之排气管,其中,前述外筒之下游端设置有连通于前述空隙的气体导入口,而通过该气体导入口导入前述惰性气体或氮气,并通过前述空隙及前述连通口导入前述排气通路内。8.如申请专利范围第1项至第3项中任一项之排气管,其中,将前述内筒与外筒作成为大略相同长度并于其两端连结,在前述外筒设置连通于前述空隙的气体导入口,并使用多孔质材构成前述内筒,使前述惰性气体或氮气经由前述气体导入口导入前述空隙,通过使用前述多孔质材构成的内筒之多数个孔而喷出于前述排气通路内。9.一种排气管,其特征在具有:在内部具有排气通路的内筒;设在该内筒外侧的外筒;形成于前述内筒与外筒之间的密闭空间;以及设置于前述外筒之用以将如液体氮等之极低温冷媒导入前述密封空间的冷媒导入口。10.一种防止反应副生成物附着之方法,系用以防止反应真空室所排出之排气中的反应副生成物在排气管内附着之方法,其特征为:藉由形成覆盖排气管之内表面的气体层,而防止排气中之反应副生成物附着于该内表面。11.如申请专利范围第10项之防止反应副生成物附着之方法,其中,系由具有排气通路的内筒、及隔着空隙而设在该内筒外侧的外筒构成前述排气管,并藉由加热内筒而防止对该内筒之内表面的前述反应副生成物之凝结。12.如申请专利范围第11项之防止反应副生成物附着之方法,其中,系藉由使前述内筒与外筒之间之前述空隙成为真空状态,而减低从前述内筒往外筒的热的传达。13.如申请专利范围第12项之防止反应副生成物附着之方法,其中,系藉由使该空隙连通于前述排气通路,导入因排气而成为真空状态的排气通路之真空状态,而使前述空隙成为真空状态。14.一种防止反应副生成物附着之方法,系用以防止反应真空室所排出之排气中的反应副生成物在排气管内附着之方法,其特征为:藉由如液体氮等之极低温冷媒冷却前述排气管之内表面;藉由将预定的气体导入经冷却的排气管内,而于该排气管之内表面形成该气体之冻结层;以及在排气作业之后,藉由解除因前述极低温冷媒而产生的前述气体之冻结并使冻结气体气化,而防止反应副生成物在前述排气管之内表面上的附着。15.如申请专利范围第14项之防止反应副生成物附着之方法,其中,前述气体,系从氨气、氩气、氮气中选出者。图式简单说明:第1图系表示有关本发明第1实施例的防止反应副生成物在排气管内附着之装置之构成例的图。第2图系表示有关本发明第2实施例的防止反应副生成物在排气管内附着之装置之构成例的图。第3图系表示有关本发明第3实施例的防止反应副生成物在排气管内附着之装置之构成例的图。第4图系表示有关本发明第4实施例的防止反应副生成物在排气管内附着之装置之构成例的图。
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