| 主权项 |
1.一种红外光侦测卡,系包括: 一侦测本体,其上覆有一层非线性光学物质,系为 任一具备二次非线性光学参数(second-order nonlinear coefficient)之物质经加工成粉末状,足以产生二次谐 频产生非线性光学效应(Second Harmonic Generation),用 以将红外光转换成可见光。2.如申请专利范围第1 项所述之红外光侦测卡,其中该侦测本体系为一卡 片者。3.如申请专利范围第1项所述之红外光侦测 卡,其中该非线性光学物质粉末之颗粒直径大小系 小于等于该待测红外光在该非线性光学物质中产 生二倍频光子的同调长度(Coherence Length)。4.如申 请专利范围第1项所述之红外光侦测卡,其中该侦 测本体之非线性光学粉末系可混入胶体或液体中, 亦或使混有非线性光学粉末之胶体或液体凝结成 固体。5.如申请专利范围第1项所述之红外光侦测 卡,其中该非线性光学物质系由一非线性光学晶体 铌酸锂(lithium niobate, LiNbO3)经加工研磨制成之粉末 。6.如申请专利范围第1项所述之红外光侦测卡,其 中该非线性光学物质系由一非线性光学晶体KTP经 加工研磨制成之粉末。7.如申请专利范围第1项所 述之红外光侦测卡,其中该侦测本体表面系可覆盖 一塑胶制成之薄膜。8.如申请专利范围第1项所述 之红外光侦测卡,其中该侦测本体表面系可覆盖一 玻璃制成之薄膜。9.如申请专利范围第1项所述之 红外光侦测卡,其中该侦测本体表面系可覆盖一石 英制成之薄膜。10.如申请专利范围第1项所述之红 外光侦测卡,其中该欲侦测之红外光之波长范围为 800nm~1500nm者。图式简单说明: 图一:系揭示本创作之正视图。 图二:系揭示本创作之A-A剖视图。 |
