| 主权项 |
1.一种在晶圆表层形成无晶格缺陷主动层的方法, 可应用在CZ矽晶圆的制造上,该方法包括: 在坩埚中置入熔融的多晶矽; 在该熔融多晶矽中掺入一含卤素化合物,该含卤素 化合物所含之卤素为氯、溴或碘; 进行拉晶步骤,自该熔融多晶矽中拉出一晶柱; 切割该晶柱以形成多片矽晶圆; 在钝气下,对该矽晶圆进行一电浆回火步骤,使该 矽晶圆之主动层没有晶格缺陷;以及 使用化学机械研磨法来平坦化该矽晶圆之表面。2 .如申请专利范围第1项所述之在晶圆表层形成无 晶格缺陷主动层的方法,其中该含卤素化合物包括 一卤化矽烷类化合物(SiaXbHc)。3.如申请专利范围 第2项所述之在晶圆表层形成无晶格缺陷主动层的 方法,其中该卤化矽烷类化合物包括氯化矽甲烷。 4.如申请专利范围第2项所述之在晶圆表层形成无 晶格缺陷主动层的方法,其中该卤化矽烷类化合物 包括溴化矽甲烷。5.如申请专利范围第2项所述之 在晶圆表层形成无晶格缺陷主动层的方法,其中该 卤化矽烷类化合物包括碘化矽甲烷。6.如申请专 利范围第1项所述之在晶圆表层形成无晶格缺陷主 动层的方法,其中该电浆回火步骤所达之回火温度 包括摄氏900至1240度。7.如申请专利范围第1项所述 之在晶圆表层形成无晶格缺陷主动层的方法,其中 该电浆回火步骤所使用之钝气系选自于由氢气、 氦气、氖气与氩气所组成之族群。8.如申请专利 范围第1项所述之在晶圆表层形成无晶格缺陷主动 层的方法,其中该电浆回火步骤所使用之钝气包括 氢气。9.如申请专利范围第1项所述之在晶圆表层 形成无晶格缺陷主动层的方法,其中该电浆回火步 骤所使用之钝气包括氩气。10.如申请专利范围第1 项所述之在晶圆表层形成无晶格缺陷主动层的方 法,其中该主动层之厚度至少为10微米。11.一种在 晶圆表层形成无晶格缺陷主动层的方法,可应用在 CZ矽晶圆的制造上,该方法包括: 在坩埚中置入熔融的多晶矽; 在该熔融多晶矽中掺入一含卤素化合物,该含卤素 化合物所含之卤素为氯、溴或碘; 进行拉晶步骤,自该熔融多晶矽中拉出一晶柱; 切割该晶柱以形成多片矽晶圆; 在钝气下,对该矽晶圆进行一回火步骤,使该矽晶 圆之主动层没有晶格缺陷;以及 使用化学机械研磨法来平坦化该矽晶圆之表面。 12.如申请专利范围第11项所述之在晶圆表层形成 无晶格缺陷主动层的方法,其中该含卤素化合物包 括一卤化矽烷类化合物(SiaXbHc)。13.如申请专利范 围第12项所述之在晶圆表层形成无晶格缺陷主动 层的方法,其中该卤化矽烷类化合物包括氯化矽甲 烷。14.如申请专利范围第12项所述之在晶圆表层 形成无晶格缺陷主动层的方法,其中该卤化矽烷类 化合物包括溴化矽甲烷。15.如申请专利范围第12 项所述之在晶圆表层形成无晶格缺陷主动层的方 法,其中该卤化矽烷类化合物包括碘化矽甲烷。16. 如申请专利范围第11项所述之在晶圆表层形成无 晶格缺陷主动层的方法,其中该回火步骤之回火温 度包括摄氏900至1240度。17.如申请专利范围第11项 所述之在晶圆表层形成无晶格缺陷主动层的方法, 其中该回火步骤所使用之钝气系选自于由氢气、 氦气、氖气与氩气所组成之族群。18.如申请专利 范围第11项所述之在晶圆表层形成无晶格缺陷主 动层的方法,其中该电浆回火步骤所使用之钝气包 括氢气。19.如申请专利范围第11项所述之在晶圆 表层形成无晶格缺陷主动层的方法,其中该电浆回 火步骤所使用之钝气包括氩气。20.如申请专利范 围第11项所述之在晶圆表层形成无晶格缺陷主动 层的方法,其中该主动层之厚度至少为10微米。图 式简单说明: 第1图系依照本发明一较佳实施例之一种在晶圆表 层形成无晶格缺陷主动层的方法流程图; 第2图是拉晶步骤之示意简图;以及 第3图为成品晶圆之结构剖面图。 |
