| 主权项 |
1.一种真空处理装置,系用以供应一处理气体到真 空室(2)而对待处理物件(W),实施一预定制程该物件 (W)系置于该真空室(2)中所提供之大致圆形放置平 台(3)上,其特征在于: 该真空室(2)在该放置平台(3)之下具有一大致圆形 的排气埠(9),该排气埠的直径系等于或小于该放置 平台(3)的直径;及 该排气埠(9)的中心轴(C1)系相隔于该放置平台(3)的 一中心轴(C2)。2.如申请专利范围第1项之真空处理 装置,其中提供一支撑零件(6),藉由自该真空室(2) 的侧壁(63)延伸到该真空室(2)的中心而支撑该放置 平台(3);及 该排气埠(9)的该中心轴(C1)相对于该放置平台(3)的 该中心轴(C2)的位移方向,系为相反于该支撑零件(6 )的延伸方向的一个方向上。3.如申请专利范围第2 项之真空处理装置,其中该支撑零件(6)具有一中空 结构,并在其中提供一公用供应线。4.如申请专利 范围第3项之真空处理装置,其中该公用供应线包 含一气体供应线(52),一冷媒供应线(65)及一电源供 应线(43,44)中的至少一个。5.如申请专利范围第3项 之真空处理装置,其中该支撑零件(6)系以可拆除的 方式安装在该真空室(2)内。6.如申请专利范围第1 至5项中任一项之真空处理装置,其中提供一障板( 20)环绕该放置平台(3)。7.如申请专利范围第6项之 真空处理装置,其中该障板(20)具有许多孔洞(20a), 在该排气埠(9)所在侧面上的一开放区域比例系小 于该相反侧上的一开放区域比例。8.如申请专利 范围第1至5项中任一项之真空处理装置,其中相对 于该放置平台(3)的该中心轴(C2)而言,该排气埠(9) 的该中心轴(C1)的一位移(D)系等于或小于该排气埠 (9)之直径的十一分之一。9.如申请专利范围第1至5 项中任一项之真空处理装置,其中该排气埠(9)系连 接到具有能够保持该真空室(2)在一低于10Pa压力下 的一真空泵(91)。10.如申请专利范围第9项之真空 处理装置,其中该真空泵为一增压分子泵(91)。11. 如申请专利范围第1至5项中任一项之真空处理装 置,其中在该真空室(2)中提供有构成一大致圆形的 喷头的气体供应零件(8),以及该喷头的中心轴系于 该放置平台(3)的中心轴(C2)重合。12.如申请专利范 围第11项之真空处理装置,其中该放置平台(3)及该 气体供应零件(8)系构形成用来对要处理的该物件( W)进行一薄膜沉积处理。13.如申请专利范围第1至5 项中任一项之真空处理装置,其中提供一上电极(8) 及一下电极(41)彼此相对,其中一种处理气体的电 浆系在该上电极(8)及该下电极(41)之间产生,藉以 对于待以该产生电浆处理的物件(W)进行一薄膜沉 积处理。14.一种真空处理方法,用以在一真空室(2) 中对于待处理的物件(W)进行一预定的制程,包含: 将该待处理的物件(W)放置在该真空室(2)的一排气 埠(9)之上的位置,该物件(W)的中心系以一预定的距 离于水平向相隔于该排气埠(9)的中心;及 由就该待处理的物件(W)之相反于该排气埠(9)的一 侧面上供应一处理气体到该待处理的物件(W),并经 由该排气埠(9)来排出该处理气体,藉以进行该预定 制程。15.如申请专利范围第14项之真空处理方法, 其中该预定制程为一薄膜沉积制程。图式简单说 明: 图1所示为一习用真空处理装置的结构。 图2所示为根据本发明的一具体实施例之电浆CVD装 置的横剖面图。 图3所示为一真空室,一放置平台及一支撑零件的 透视图。 图4所示为一排气埠及该放置平台的平面图。 图5所示为图2中电浆CVD装置的障板之平面图。 图6所示为该排气埠的一中心轴与该放置平台的一 中心轴之间距离的关系图。 |
