| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体,系具备:透明绝缘基板;形成于 该透明绝缘基板上的闸电极;于含有该闸电极之透 明绝缘基板上所形成的闸绝缘膜;介着该闸绝缘膜 而与闸电极对应地形成的半导体活性层;与该半导 体活性层邻接而形成的源领域及汲领域;形成于半 导体活性层上,具有相对于透明绝缘基板表面之倾 斜侧面之保护层;及分别形成于上述源领域及汲领 域上,具有一部分延伸于保护层上的源电极及汲电 极;而可利用混入有氧气之混合气体将整个透明绝 缘基板施以电浆蚀刻,使半导体活性层端面实质上 不具备与源极、汲极形成材料相接之矽化物层。2 .如申请专利范围第1项之薄膜电晶体,其中,保护层 为氮化矽膜。3.如申请专利范围第1项之薄膜电晶 体,其中,保护层之侧面对透明绝缘基板表面之倾 斜角为80度以下。4.如申请专利范围第1项之薄膜 电晶体,其中,源电极及汲电极领域为具有有铬层 。5.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体,其中,源 电极及汲电压领域为掺杂有杂质。6.一种薄膜电 晶体,系具备:透明绝缘基板;形成于该透明绝缘基 板上之闸电极;于含有该闸电极之透明绝缘基板上 所形成之闸绝缘膜;介着该闸绝缘膜而与闸电极对 应地形成之半导体活性层;与该半导体活性层邻接 而形成之源领域及汲领域;形成于半导体活性层上 ,具有相对于透明绝缘基板表面之倾斜侧面之保护 层;及分别形成于上述源领域及汲领域上,且有一 部分延伸于保护层上的源电极及汲电极;而半导体 活性层端面系形成有氧化膜者。7.一种薄膜电晶 体,系具备:透明绝缘基板;形成于该透明绝缘基板 上之闸电极;与闸电极对应地形成之半导体活性层 ;与该半导体活性层邻接而形成之源领域及汲领域 ;形成于半导体活性层上,具有相对于透明绝缘基 板表面之倾斜侧面之保护层;及分别形成于上述源 领域及汲领域上,且有一部分延伸于保护层上的源 电极及汲电极;而保护层不与源电极及汲电极相接 之端面系设有突起部者。8.一种薄膜电晶体之制 造方法,系包括: 于透明绝缘基板上形成闸电极之第一步骤; 于包含闸电极之透明绝缘基板上依序沈积第一绝 缘层、半导体层、第二绝缘层之第二步骤; 藉由电浆蚀刻第二绝缘层,形成具有相对于透明绝 缘基板表面之倾斜侧面之保护层之第三步骤; 以保护层为掩膜,将杂质离子植入于透明绝缘基板 全面之第四步骤; 藉由蚀刻半导体层而成源领域及汲领域之第五步 骤; 全面沈积金属层,其后藉由蚀刻,以形成源电极及 汲电极之第六步骤;及 采用已混有氧气之气体以电浆蚀刻透明绝缘基整 体之第七步骤者。9.如申请专利范围第8项之薄膜 电晶体之制造方法,其中,第二绝缘层为氮化矽层, 第三步骤系采用含有氟化硫及氧之混合气体,将上 述氮化矽层施以电浆蚀刻者。10.如申请专利范围 第8项之薄膜电晶体之制造方法,其中,第六步骤之 金属层为铬层。11.如申请专利范围第8项之薄膜电 晶体之制造方法,其中,第七步骤之电浆蚀刻所用 的气体系混合有氟化碳。12.如申请专利范围第8项 之薄膜电晶体之制造方法,其中,复包含采用含有 氧气之电浆,于非晶质矽膜之端面上形成矽氧化膜 之第八步骤,该第八步骤系于第五步骤结束后,在 第六步骤之前进行。13.如申请专利范围第8项之薄 膜电晶体之制造方法,其中,第三步骤系藉由改变 氧气之混合比,以调整保护层之侧面对透明绝缘基 板表面之倾斜角。14.如申请专利范围第1项之薄膜 电晶体,其中,上述矽化物系为矽化铬。15.如申请 专利范围第1或第14项之薄膜电晶体,其中,上述矽 化物系以使用氧气与氟化碳之混合气体之电浆蚀 刻去除者。16.如申请专利范围第15项之薄膜电晶 体,其中,上述氧气与氟化氮之混合气体系氧气含 量多于氟化氮气体者。图式简单说明: 第1图系表示藉由本发明之实施态样1之薄膜电晶 体之制造方法之截面图。 第2图系表示藉由本发明之实施态样1之薄膜电晶 体之制造方法之截面图。 第3图系表示藉由本发明之实施态样2之薄膜电晶 体之截面图。 第4图系表示藉由本发明之实施态样3之薄膜电晶 体之平面图。 第5图系表示习用的薄膜电晶体之制造方法之截面 图。 第6图系表示习用的薄膜电晶体之平面图。 第7图系表示习用的薄膜电晶体之制造方法之截面 图。 第8图系表示形成有矽化铬之情形之薄膜电晶体及 正常的薄膜电晶体之闸电压-汲电流特性之图。 |
