发明名称 具有半导体晶片之可挠性薄膜
摘要 本件物品系控制电子机器之半导体装置,于具有可挠性之薄膜上设有半导体(IC晶片)及信号输出入用之配线/端点。本新式样于带状薄膜上连续形成数个单位。本件新式样之特征如下:(1)本件新式样之基本型态系呈现薄膜状之横长矩形。(2)在上端配置有横长的IC晶片,在前视图中,直条纹之输出入端点只由IC晶片之下部向着下方朝左右两旁延伸。先前的例子在这一点上,IC晶片皆配置于而端点向数个方向延伸。(3)上述端点之条纹,在部分(输出端点群)呈现出较为紧密之条纹,而在两侧(输入端点群)则呈现出较为疏散之条纹。(4)下方两侧亦配置有端点群。本件新式样系具新颖性及独创性,不仅可达成预期之功能,同时并具有前所未有的美感。
申请公布号 TW481497 申请公布日期 2002.03.21
申请号 TW088303073 申请日期 1999.05.12
申请人 夏普股份有限公司 发明人 福田 和彦
分类号 主分类号
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 如图所示「具有半导体晶片之可挠性薄膜」之形 状及花纹。图式简单说明: 图1系本创作之前视图。 图2系其俯视图。 图3系其仰视图。 图4系其后视图。 图5系其左侧视图。 图6系其右侧视图。 图7系其立体图。 图8系自本创作图1之8-8线所视省略内部机构之断 面参考图。 图9系自本创作图1之9-9线所视省略内部机构之断 面参考图。 图10系自本创作图1之10-10线所视省略内部机构之 断面参考图。 图11系自本创作图1之11-11线所视省略内部机构之 断面参考图。 图12系自本创作图1之12-12线所视省略内部机构之 断面参考图。 图13系表示本创作一个单位之参考图。
地址 日本