| 发明名称 |
Verfahren zur Metallisierung eines Isolators und/oder eines Dielektrikums |
| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Metallisierung eines Isolators und/oder Dielektrikums, wobei der Isolator zunächst aktiviert, anschließend mit einem weiteren Isolator beschichtet und dieser strukturiert, dann der erste bekeimt und schließlich metallisiert wird.
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| 申请公布号 |
DE10015214(C1) |
申请公布日期 |
2002.03.21 |
| 申请号 |
DE20001015214 |
申请日期 |
2000.03.27 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
SCHMID, GUENTER;LOWACK, KLAUS;SEZI, RECAI |
| 分类号 |
C23C18/16;C23C18/30;H05K3/18;H05K3/46;(IPC1-7):C23C18/18;H01L21/320 |
主分类号 |
C23C18/16 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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