发明名称 |
OPC-Verfahren zum Erzeugen von korrigierten Mustern für eine Phasensprungmaske und deren Trimmmaske sowie zugehörige Vorrichtung und integrierte Schaltungsstruktur |
摘要 |
Erläutert wird unter anderem ein Verfahren, bei dem zunächst in einem ersten Korrekturschritt (60) das Muster (56) für die Phasensprungmaske korrigiert wird. Anschließend wird in einem zweiten Korrekturschritt (66) das Muster für die Trimmaske bei Einsatz des korrigierten Musters (64) für die Phasensprungmaske korrigiert. Durch die beiden nacheinander ausgeführten Korrekturschritte lassen sich Maskendaten für die Herstellung höchstintegrierter Schaltkreise auf einfache Art korrigieren.
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申请公布号 |
DE10042929(A1) |
申请公布日期 |
2002.03.21 |
申请号 |
DE2000142929 |
申请日期 |
2000.08.31 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
MAURER, WILHELM;ZIMMERMANN, RAINER;AHRENS, MARCO;KNOBLOCH, JUERGEN |
分类号 |
G03F1/00 |
主分类号 |
G03F1/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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