Verfahren zur Herstellung einer Gateelektrode für eine MOS-Struktur,申请号DE19965008704-传众专利搜索

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发明名称	Verfahren zur Herstellung einer Gateelektrode für eine MOS-Struktur
摘要
申请公布号	DE59608704(D1)	申请公布日期	2002.03.21
申请号	DE19965008704	申请日期	1996.11.27
申请人	SIEMENS AG	发明人	LUSTIG, DR.
分类号	H01L21/28;(IPC1-7):H01L21/28	主分类号	H01L21/28
代理机构		代理人
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