| 摘要 |
<p>Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Epitaxie von (Indium, Aluminium, Gallium)-nitrid auf Fremdsubstraten. Die Aufgabe der Erfindung liegt in der Suche nach einem maskenfreien Prozess, der dennoch die Vorteile des Versetzungsabbaus durch laterales Überwachsen ermöglicht. Die Lösung der Aufgabe erfolgt dadurch, dass auf der Oberfläche von Substraten (1) Vertiefungen (7) eingebracht werden, wobei die Wände (4) der Vertiefungen (7) so beschaffen sind, dass die Wachstumsfronten der (In, Al, Ga)N-Schichten (3) auf den Böden der Vetiefungen (7) und auf den dazwischen befindlichen Erhebungen (6) voneinander getrennt sind.</p> |
