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<p>본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 것으로, 소자의 제조공정 중 포토레지스터 마스크 패턴 작업시 웨이퍼의 인사이드와 EBR 인접 지역의 폴리 패턴은 클로즈 슈트, 산화막 패턴은 오픈 슈트로 서로 반대로 형성하는 것만으로 웨이퍼 EBR 인접 지역 패턴의 필드 코너에서 디포커스에 의한 포토레지스터 마스크 패턴 불량이 발생하여도 리프팅 가능한 파티클 소스를 제거할 수 있다. 이로써 본 발명은 상,하부의 콘택이 제대로 플러깅되지 않은 폴리가 후속 산화막 습식 딥 아웃시 등방성으로 식각되는 습식성 효과에 의해 웨이퍼 EBR 인접 지역의 비정상의 패턴들이 리프팅되어 인사이드로 유입되는 문제로, 네트 다이 확보를 위하여 많은 추가의 공정들이 필요해지는 종래의 문제점을 해결할 수 있으므로 반도체 소자의 설계 마진 확보와 제조 공정 수율 및 동작 특성 향상을 기할 수 있다.</p> |
