| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 LPPC 구조를 가지는 반도체소자에서 활성영역과 중첩되는 콘택 식각을 위한 감광막패턴을 리플로우가 가능한 재질로 형성하고, 현상한 다음 리플로우 시켜 측면에 경사면을 가지게 하여 오정렬에 의하여 노출된 소자분리영역 부분을 보호하도록 하고, 콘택 식각 공정을 진행하여 측벽에 경사면을 가지는 전하저장전극과 비트라인 콘택을 형성하고, 콘택 플러그를 형성하였으므로, 미세 소자에서의 마스크 오정렬 여유도를 증가시켜 오정렬에 따른 불량을 방지하므로 공정수율 및 소자동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.</p> |
