| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的制造方法,在形成在第一绝缘膜104上的基板表面部分103中形成通到第一绝缘膜104的元件隔离用沟106以后,利用气相沉积法在元件隔离用沟106上沉积第二绝缘膜107。结果,彻底抑制了在SOI基板上形成沟槽型元件隔离结构时,由于作用在沟槽角等上的应力而引起的、出现在在元件形成区域的那一部分半导体层上的结晶缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN1340854A | 申请公布日期 | 2002.03.20 |
| 申请号 | CN01123650.7 | 申请日期 | 2001.08.27 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 有田浩二;上本康裕 |
| 分类号 | H01L21/76 | 主分类号 | H01L21/76 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件的制造方法，其中：在形成在第一绝缘膜上的半导体层上形成通到上述第一绝缘膜的元件隔离用沟的步骤，和利用气相沉积法将第二绝缘膜沉积在上述元件隔离用沟中的步骤。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||